[發明專利]一種微通道換熱器及其制作方法有效
| 申請號: | 201710385095.7 | 申請日: | 2017-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN107275299B | 公開(公告)日: | 2019-08-20 |
| 發明(設計)人: | 官勇;馬盛林;曾清華;孟偉;陳兢;金玉豐 | 申請(專利權)人: | 北京大學 |
| 主分類號: | H01L23/473 | 分類號: | H01L23/473;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 邱曉鋒 |
| 地址: | 100871 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 通道 換熱器 及其 制作方法 | ||
1.一種微通道換熱器,其特征在于,包括第一襯底和第二襯底,所述第一襯底和所述第二襯底均具有相對的第一表面和第二表面,所述第一襯底具有貫穿其第一表面和第二表面的微通道,所述第二襯底在其第一表面上形成一定深度的通道;所述第一襯底的第一表面、第二表面以及微通道內設有第一絕緣層、導電層和第二絕緣層,所述導電層介于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間;所述第一襯底的第一表面設有再布線層;所述第一襯底的第二表面和所述第二襯底的第一表面設有鍵合層,所述第一襯底和所述第二襯底通過所述鍵合層鍵合在一起。
2.根據權利要求1所述的微通道換熱器,其特征在于,所述第一襯底和/或所述第二襯底為硅、玻璃、或者聚合物材料。
3.根據權利要求1所述的微通道換熱器,其特征在于,所述導電層為電學性能良好的材料,保型覆蓋所述貫穿第一襯底的微通道的側壁;所述第一絕緣層和或所述第二絕緣層為二氧化硅、聚酰亞胺、parylene材料中的一種。
4.根據權利要求1所述的微通道換熱器,其特征在于,所述第二襯底為硅,所述第二襯底的第一表面和微通道內制作絕緣層,所述絕緣層的材料為氧化硅或氮化硅。
5.根據權利要求1所述的微通道換熱器,其特征在于,通過控制鍵合層工藝,使第一襯底和第二襯底上的微通道直徑一致或者不一致。
6.根據權利要求1所述的微通道換熱器,其特征在于,所述第一襯底的第一表面和第二表面都設有再布線層,并通過貫穿第一襯底的微通道側壁的導電層進行連接。
7.一種微通道換熱器的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
a)提供第一襯底和第二襯底,所述第一襯底和所述第二襯底均具有相對的第一表面和第二表面,在所述第一襯底制作貫穿其第一表面和第二表面的微通道,在所述第二襯底的第一表面上制作形成一定深度的通道;
b)在所述第一襯底的第一表面、第二表面和微通道內依次制作第一絕緣層、導電層、第二絕緣層;
c)在所述第一襯底的第一表面制作再布線層;
d)在所述第一襯底的第二表面和所述第二襯底的第一表面制作鍵合層,并使所述第一襯底和所述第二襯底鍵合在一起。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,步驟a)中微通道的制作方法為下列中的一種:深反應離子刻蝕、激光燒蝕、噴砂、超聲加工;步驟b)中第一絕緣層、第二絕緣層的制作方法為下列中的一種:熱氧化,化學氣相沉積,物理氣相沉積,蒸發。
9.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述導電層、再布線層的制作方法為蒸發、濺射、電鍍、化學鍍、化學氣相沉積及其組合,所述導電層為銅、金、銀、鉑、鎳、鎢、鋁或其合金,所述第一絕緣層、所述第二絕緣層為二氧化硅、氮化硅、聚酰亞胺、parylene中的一種。
10.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,在步驟d)中鍵合層的制作方法為旋涂或噴,鍵合層的材料為光敏BCB、parylene、聚酰亞胺或其他商用光敏鍵合材料,通過光刻控制鍵合層開口的直徑,鍵合方法為熱壓鍵合。
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