[發明專利]閃存存儲器存儲單元

有效

• 申請號: 201710385065.6
• 申請日: 2017-05-26
• 公開（公告）號: CN108962908B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 劉暐昌;陳震;王獻德;向往;塔威;孫川
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11575
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種閃存存儲器存儲單元，包含：

基底；

存儲器柵極，設于該基底上；

電荷存儲層，介于該存儲器柵極與該基底間；

選擇柵極，鄰近該存儲器柵極，其中該選擇柵極包含一上端部位及一下端部位；

選擇柵極介電層，設于該選擇柵極與該基底間；

第一氧化物-氮化物間隙壁，介于該存儲器柵極與該選擇柵極間；

第二氧化物-氮化物間隙壁，介于該第一氧化物-氮化物間隙壁與該選擇柵極的該上端部位間；及

底切凹陷區域，位于該第二氧化物-氮化物間隙壁下面。

2.如權利要求1所述的閃存存儲器存儲單元，其中該存儲器柵極具有一第一側壁面及一相對于該第一側壁面的第二側壁面。

3.如權利要求2所述的閃存存儲器存儲單元，其中該選擇柵極僅位于該第二側壁面上。

4.如權利要求3所述的閃存存儲器存儲單元，其中該第二氧化物-氮化物間隙壁僅位于該第一氧化物-氮化物間隙壁及該選擇柵極的該上端部位間。

5.如權利要求1所述的閃存存儲器存儲單元，其中該選擇柵極的該下端部位延伸至該底切凹陷區域內。

6.如權利要求4所述的閃存存儲器存儲單元，其中在該存儲器柵極的該第一側壁面上設置有一第一輕摻雜漏極間隙壁，其中在該第一輕摻雜漏極間隙壁正下方的該基底中設置有一第一輕摻雜漏極。

7.如權利要求6所述的閃存存儲器存儲單元，其中在鄰近該第一輕摻雜漏極的該基底中設置有一源極摻雜區。

8.如權利要求6所述的閃存存儲器存儲單元，其中在該選擇柵極上設置有一第二輕摻雜漏極間隙壁，其中在該第二輕摻雜漏極間隙壁正下方的該基底中設置有一第二輕摻雜漏極。

9.如權利要求8所述的閃存存儲器存儲單元，其中在鄰近該第二輕摻雜漏極的該基底中設置有一漏極摻雜區。

10.如權利要求1所述的閃存存儲器存儲單元，其中該電荷存儲層包含一氧化物-氮化物-氧化物層。

11.如權利要求5所述的閃存存儲器存儲單元，其中該第一氧化物-氮化物間隙壁包含一第一氧化硅層及一第一氮化硅層，該第二氧化物-氮化物間隙壁包含一第二氧化硅層及一第二氮化硅層，其中該第二氧化硅層直接接觸該第一氮化硅層。

12.如權利要求11所述的閃存存儲器存儲單元，其中該第一氧化硅層具有一第一厚度，該第二氧化硅層具有一第二厚度，其中該第二厚度比第一厚度厚。

13.如權利要求12所述的閃存存儲器存儲單元，其中該底切凹陷區域具有一高度，所述高度等于該第二厚度。

14.如權利要求12所述的閃存存儲器存儲單元，其中該第二厚度介于10至30納米。

15.如權利要求1所述的閃存存儲器存儲單元，其中該存儲器柵極包含多晶硅。

16.如權利要求1所述的閃存存儲器存儲單元，其中該選擇柵極包含多晶硅。

17.如權利要求1所述的閃存存儲器存儲單元，其中該基底包含一硅基底。