[發(fā)明專利]基于光致發(fā)光評(píng)估多晶硅錠的晶體質(zhì)量的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710384704.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107045996B | 公開(公告)日: | 2019-11-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李易成;梁學(xué)勤;陳發(fā)勤;李旭敏;李宏;張軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 宜昌南玻硅材料有限公司;中國南玻集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;G01R31/36 |
| 代理公司: | 42103 宜昌市三峽專利事務(wù)所 | 代理人: | 黎澤洲<國際申請(qǐng)>=<國際公布>=<進(jìn)入 |
| 地址: | 44300*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 光致發(fā)光 評(píng)估 多晶 晶體 質(zhì)量 方法 | ||
1.一種基于光致發(fā)光評(píng)估多晶硅錠的晶體質(zhì)量的方法,其特征是包括以下步驟:
s1、建立光致發(fā)光硅片檢測系統(tǒng);
s2、以光致發(fā)光硅片檢測系統(tǒng)檢測多晶硅片(5);
s3、獲取多晶硅片(5)的影響因子;
s4、將多晶硅片(5)制備成電池片,測試電池片的電性能參數(shù);
s5、根據(jù)各個(gè)影響因子對(duì)電池片的電性能影響程度,獲取Q值;
Q值獲取公式為:
式中,Q為硅錠質(zhì)量參數(shù),A、B、C……為影響權(quán)重;a、b、c……為各類影響因子的測試值,e為自然常數(shù),x1、x2、x3……為權(quán)重修正系數(shù);
根據(jù)Q值評(píng)估多晶硅片的質(zhì)量。
2.一種基于光致發(fā)光評(píng)估多晶硅錠的晶體質(zhì)量的方法,其特征是包括以下步驟:
s1、建立光致發(fā)光硅片檢測系統(tǒng);
s2、選取批量相同鑄錠工藝的硅錠,剖錠之后將所有硅塊按照從底部到頂部的順序切割成多晶硅片(5),按照硅塊底部到硅塊頂部的順序?qū)⒍嗑Ч杵?5)分組;
s3、以光致發(fā)光硅片檢測系統(tǒng)檢測各組的多晶硅片(5),獲取多晶硅片(5)的影響因子,將影響因子取平均值;
s4、將各組的多晶硅片(5)在相同的電池制備工藝下制成電池片,測試電池片的電性能參數(shù),取各組電池片的電性能參數(shù)平均值;
s5、根據(jù)各個(gè)影響因子對(duì)電池片電性能參數(shù)的影響權(quán)重,獲取Q值,
Q值獲取公式為:
式中,Q為硅錠質(zhì)量參數(shù),A、B、C……為影響權(quán)重;a、b、c……為各類影響因子的測試值,e為自然常數(shù),x1、x2、x3……為權(quán)重修正系數(shù);
根據(jù)Q值評(píng)估整個(gè)硅錠的質(zhì)量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1~2任一項(xiàng)所述的基于光致發(fā)光評(píng)估多晶硅錠的晶體質(zhì)量的方法,其特征是:根據(jù)不同位置對(duì)應(yīng)的硅塊的Q值評(píng)估整個(gè)硅錠的質(zhì)量,反映熱場結(jié)構(gòu)的缺陷和鑄錠工藝優(yōu)化方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于光致發(fā)光評(píng)估多晶硅錠的晶體質(zhì)量的方法,其特征是:根據(jù)硅塊對(duì)應(yīng)的位置,建立硅錠的Q值方格圖。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~2任一項(xiàng)所述的基于光致發(fā)光評(píng)估多晶硅錠的晶體質(zhì)量的方法,其特征是:影響因子包括少子壽命、位錯(cuò)、晶界信息、雜質(zhì)含量中一項(xiàng)或多項(xiàng)的組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~2任一項(xiàng)所述的基于光致發(fā)光評(píng)估多晶硅錠的晶體質(zhì)量的方法,其特征是:所述的光致發(fā)光硅片檢測系統(tǒng)中,步進(jìn)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)(4)上方一側(cè)設(shè)有光發(fā)射裝置(1),另一側(cè)設(shè)有采集裝置(2),采集裝置(2)與控制裝置(3)電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于光致發(fā)光評(píng)估多晶硅錠的晶體質(zhì)量的方法,其特征是:在檢測過程中,步進(jìn)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)(4)旋轉(zhuǎn)至少90°。
8.根據(jù)權(quán)利要求7述的基于光致發(fā)光評(píng)估多晶硅錠的晶體質(zhì)量的方法,其特征是:光致發(fā)光硅片檢測系統(tǒng)獲取的圖像中,將影響因子以顏色標(biāo)識(shí)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7述的基于光致發(fā)光評(píng)估多晶硅錠的晶體質(zhì)量的方法,其特征是:光致發(fā)光硅片檢測系統(tǒng)獲取的圖像中,將各個(gè)影響因子以不同的顏色分別標(biāo)識(shí)。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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