[發明專利]硼砂腐蝕單晶硅制作表面增強拉曼基底的方法

在審

• 申請號: 201710384604.4
• 申請日: 2017-05-26
• 公開（公告）號: CN107421940A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 滿石清;陳金寶
• 申請（專利權）人: 云南師范大學
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65
• 代理公司: 云南派特律師事務所53110
• 代理人: 董建國

1.硼砂腐蝕單晶硅制作表面增強拉曼基底的方法，其特征在于，在單晶硅表面制備出適合于制作拉曼基底的微結構，單晶硅表面微結構上有一層納米金薄膜。

2.根據權利要求1所述的硼砂腐蝕單晶硅制作表面增強拉曼基底的方法，其特征在于，所述單晶硅表面金字塔尺寸金字塔表面覆蓋率接近99.0%，且均勻性高，平均尺寸為3.54μm，所述金薄膜的厚度為在電流為20mA，鍍膜時間為5.5min。

3.權利要求1或2所述的硼砂腐蝕單晶硅制作表面增強拉曼基底的方法，包括以下步驟：

（1）使用標準的清洗方法對反應前后的單晶硅表面進行清洗；

（2）利用堿溶液對單晶硅表面的各向異性腐蝕性制備微結構，所述堿溶液為NaOH和硼砂（Na₂B₄O₇·10H₂O）混合溶液；

（3）使用108auto真空鍍膜儀在已經制備好的單晶硅表面微結構上鍍上厚度適宜的納米金薄膜，并使用QE65 pro便攜式拉曼光譜儀對單晶硅表面增強拉曼基底的增強性能進行測試。

4.根據權利要求3所述的硼砂腐蝕單晶硅制作表面增強拉曼基底的方法，其特征在于，步驟（1）包括：

制備微結構前將單晶硅片切成1.5cm×1.5cm的小樣品，將小樣品在酒精溶液和超純水中依次超聲清洗5min，清洗完畢后立即放入洗凈并烘干的培養皿中，將裝有樣品的培養皿放入恒溫干燥箱中將樣品烘干備用；干燥完成之后立即將硅片投入到濃度為5%的HF溶液中浸泡40s去除表面的SiO₂氧化層，達到預定時間后立即將樣品取出并使用流動的超純水沖洗樣品表面，再將樣品投入超純水中進行超聲清洗5min；清洗完畢后立即放入洗凈并烘干的培養皿中，將裝有樣品的培養皿放入恒溫干燥箱中將樣品烘干備用。

5.根據權利要求3所述的硼砂腐蝕單晶硅制作表面增強拉曼基底的方法，其特征在于，步驟（2）包括：

利用天平、容量瓶、玻璃棒實驗工具配制成實驗所需混合溶液，將混合溶液倒入用超純水充分洗凈并烘干自制反應釜中，將反應釜置于恒溫磁力攪拌器的水浴鍋內預熱15min；預熱完畢用塑料夾子固定硅片后投入混合溶液中進行反應，制絨反應結束后立即將硅片取出，依次在酒精和超純水中超聲清洗，分別清洗1次和3次，清洗完畢后立即將樣品放入恒溫干燥箱中烘干備用。

6.根據權利要求3所述的硼砂腐蝕單晶硅制作表面增強拉曼基底的方法，其特征在于，步驟（3）包括：

將制備好微結構的單晶硅片放到鍍膜樣品臺上，使用108auto真空鍍膜儀鍍上厚度適宜的納米金薄膜，按照標準鍍膜步驟進行鍍膜，并使用QE65 pro便攜式拉曼光譜儀對單晶硅表面增強拉曼基底的增強性能進行測試。