[發(fā)明專利]覆晶式發(fā)光二極管及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710384011.8
• 申請(qǐng)日: 2017-05-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108963054B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃秀璋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 黃秀璋
• 主分類號(hào): H01L33/52
• 分類號(hào): H01L33/52;H01L33/62
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種覆晶式發(fā)光二極管，包括：

發(fā)光二極管芯片，具有正極和負(fù)極；

第一金屬片；

第二金屬片；

封裝材料，配置來(lái)將該發(fā)光二極管芯片、該第一金屬片及該第二金屬片封裝于其內(nèi)，其中，該發(fā)光二極管芯片的該正極與該負(fù)極、該第一金屬片及該第二金屬片是彼此絕緣且分別具有從該封裝材料的一表面暴露出來(lái)的表面；

導(dǎo)電部，配置來(lái)在該發(fā)光二極管芯片的該正極與該負(fù)極之間保持絕緣的狀態(tài)下，使該第一金屬片與該發(fā)光二極管芯片的該正極電性連接、并使該第二金屬片與該發(fā)光二極管芯片的該負(fù)極電性連接；以及

絕緣層，設(shè)置在該封裝材料的該表面上，以覆蓋該導(dǎo)電部以及暴露于該封裝材料的該表面的該發(fā)光二極管芯片的該正極與該負(fù)極、該第一金屬片及該第二金屬片的多個(gè)該表面。

2.如權(quán)利要求1的所述覆晶式發(fā)光二極管，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片的該正極與該負(fù)極、該第一金屬片及該第二金屬片的分別從該封裝材料的該表面暴露出來(lái)的多個(gè)該表面是與該封裝材料的該表面齊平。

3.如權(quán)利要求1的所述覆晶式發(fā)光二極管，其特征在于，該絕緣層為導(dǎo)熱絕緣層，配置來(lái)傳導(dǎo)由該發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的熱。

4.如權(quán)利要求3的所述覆晶式發(fā)光二極管，還包括散熱板，該散熱板接觸該導(dǎo)熱絕緣層，以使從該導(dǎo)熱絕緣層所傳導(dǎo)來(lái)的熱發(fā)散。

5.如權(quán)利要求3的所述覆晶式發(fā)光二極管，其特征在于，該導(dǎo)熱絕緣層還配置來(lái)發(fā)散由該發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的熱。

6.如權(quán)利要求1的所述覆晶式發(fā)光二極管，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片具有發(fā)光面，該發(fā)光面配置為從該封裝材料暴露出來(lái)。

7.如權(quán)利要求1的所述覆晶式發(fā)光二極管，其特征在于，該第一金屬片與該第二金屬片形成該覆晶式發(fā)光二極管中的電路圖案。

8.如權(quán)利要求1的所述覆晶式發(fā)光二極管，其特征在于，該第一金屬片及該第二金屬片為可撓金屬片。

9.如權(quán)利要求1的所述覆晶式發(fā)光二極管，其特征在于，該導(dǎo)電部為借由網(wǎng)印或點(diǎn)膠的方式而被形成的導(dǎo)電膠或焊料。

10.如權(quán)利要求1的所述覆晶式發(fā)光二極管，還包括用于與該發(fā)光二極管芯片一起運(yùn)作的電子組件。

11.一種制造覆晶式發(fā)光二極管的方法，該方法包括以下的步驟：

提供具有通孔的金屬片；

設(shè)置發(fā)光二極管芯片于該金屬片的該通孔中，且該發(fā)光二極管芯片的正極和負(fù)極未與該金屬片接觸；

以封裝材料封裝該金屬片及該發(fā)光二極管，其中，該金屬片及該發(fā)光二極管的該正極和該負(fù)極各具有從該封裝材料的表面暴露出來(lái)的表面；

蝕刻該金屬片，以形成電路圖案，該電路圖案至少具有相互絕緣的第一部分及第二部分；

形成導(dǎo)電部，以在該發(fā)光二極管芯片的該正極與該負(fù)極保持絕緣的狀態(tài)下，使該發(fā)光二極管芯片的該正極與該電路圖案的該第一部分電性連接、并使該發(fā)光二極管芯片的該負(fù)極與該電路圖案的該第二部分電性連接；以及

于該封裝材料的該表面上設(shè)置絕緣層，以覆蓋該導(dǎo)電部及從該封裝材料的該表面暴露出來(lái)的該金屬片的該表面及該發(fā)光二極管的該正極和該負(fù)極的多個(gè)該表面。