[發明專利]用于處理基板的裝置和方法

有效

• 申請號: 201710383849.5
• 申請日: 2017-05-26
• 公開（公告）號: CN107437496B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 金大民;李暎熏
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 石寶忠

1.一種用于處理基板的方法，該方法將具有薄膜的基板上的凹部內的顆粒除去，其中在所述薄膜上形成有在其上表面上具有所述凹部的圖案，所述方法包括：

滲透步驟，用于將含有超臨界有機化學溶液的處理液滲透到所述凹部中；和

加熱步驟，用于在所述滲透步驟之后加熱所述基板。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述滲透步驟在高壓室中進行。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述加熱步驟在真空烘焙室中進行。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中所述圖案包括具有所述凹部的氮化鈦(TiN)電容器。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中所述有機化學溶液是異丙醇(IPA)。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中在所述加熱步驟中將所述基板加熱至200℃以上。

7.一種基板處理裝置，該裝置將具有薄膜的基板上的凹部內的顆粒除去，其中在所述薄膜上形成有在其上表面上具有所述凹部的圖案，所述基板處理裝置包括：

高壓室，在所述高壓室中進行滲透工序以將含有超臨界狀態的有機化學液體的處理液滲透到所述凹部中；

真空烘焙室，在所述真空烘焙室中進行用于加熱基板的工序；和

傳送單元，用于在所述高壓室和所述真空烘焙室之間傳送所述基板。

8.根據權利要求7所述的裝置，還包括控制器，用于控制所述高壓室、所述真空烘焙室和所述傳送單元，

其中所述控制器控制所述傳送單元以將已完成在所述高壓室中的工序的所述基板從所述高壓室傳送到所述真空烘焙室。

9.根據權利要求7或8所述的裝置，其中所述圖案包括具有所述凹部的氮化鈦(TiN)電容器。

10.根據權利要求7或8所述的裝置，其中所述有機化學溶液是異丙醇(IPA)。

11.根據權利要求7或8所述的裝置，其中在所述真空烘焙室中將所述基板加熱到200℃以上。