[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 201710383195.6 | 申請日： | 2017-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN107833920B | 公開（公告）日： | 2021-04-23 |
| 發明（設計）人： | 小林研也;前山賢二;松尾浩司;川口雄介 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 楊林勛 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于具備：
第1導電型的第1半導體區域；
第1柵極電極，隔著第1柵極絕緣層設置在所述第1半導體區域之上；
第2柵極電極，隔著第2柵極絕緣層設置在所述第1半導體區域之上，在第1方向和所述第1柵極電極相隔；
第2導電型的第2半導體區域，在所述第1半導體區域之上，設置在所述第1柵極電極和所述第2柵極電極之間；
第1導電型的第3半導體區域，設置在所述第2半導體區域的一部分之上；
第2導電型的第4半導體區域，設置在所述第2半導體區域的另一部分之上，所述第4半導體區域的第2導電型的載子濃度高于所述第2半導體區域；
金屬部，設置在所述第4半導體區域之上，且被所述第3半導體區域包圍；
絕緣部，繞所述金屬部周圍環狀設置，且被所述第3半導體區域包圍；以及
第1電極，設置在所述第3半導體區域、所述金屬部、及所述絕緣部之上，電連接所述第3半導體區域及所述金屬部。
2.一種半導體裝置，其特征在于具備：
第1導電型的第1半導體區域；
第1柵極電極，隔著第1柵極絕緣層設置在所述第1半導體區域之上；
第2柵極電極，隔著第2柵極絕緣層設置在所述第1半導體區域之上，在第1方向和所述第1柵極電極相隔；
第2導電型的第2半導體區域，在所述第1半導體區域之上，設置在所述第1柵極電極和所述第2柵極電極之間；
第1導電型的第3半導體區域，設置在所述第2半導體區域的一部分之上；
第2導電型的第4半導體區域，設置在所述第2半導體區域的另一部分之上，所述第4半導體區域的第2導電型的載子濃度高于所述第2半導體區域；
金屬部，設置在所述第4半導體區域之上，在和所述第1方向交叉的第2方向與所述第3半導體區域并排，且與所述第1柵極絕緣層及所述第2柵極絕緣層相接；
絕緣部，設置在所述第3半導體區域和所述金屬部之間，在所述第2方向與所述第3半導體區域及所述金屬部并排，且與所述第1柵極絕緣層及所述第2柵極絕緣層相接；以及
第1電極，設置在所述第3半導體區域、所述金屬部、及所述絕緣部之上，電連接所述第3半導體區域及所述金屬部。
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