[發明專利]基板濕制程工藝方法及基板濕制程工藝裝置

有效

• 申請號: 201710381599.1
• 申請日: 2017-05-25
• 公開（公告）號: CN107170667B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 孫靜
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505
• 代理人: 孟潭

1.一種基板濕制程工藝方法，包括：

設置載臺，通過所述載臺固定基板；

所述載臺沿周向軌跡移動，進行所述基板輸送；

沿所述周向軌跡外側設置處理設備；

在所述基板輸送過程中，所述載臺調整所述基板的朝向和/或高度配合所述處理設備，其中，

所述設置載臺，通過所述載臺固定基板包括：

所述載臺設置支撐架，形成承載所述基板的初始平面；

所述載臺設置第一吸盤固定并支撐所述基板背面；

所述載臺在所述第一吸盤間設置第二吸盤固定并支撐基板背面；

所述支撐架、所述第一吸盤和所述第二吸盤交替支撐所述基板。

2.如權利要求1所述的基板濕制程工藝方法，其特征在于所述載臺沿一周向軌跡移動，進行所述基板輸送包括：

設置環形輸送帶，所述環形輸送帶沿周向形成輸送面；

所述環形輸送帶的所述輸送面上固定所述載臺；

所述載臺隨所述環形輸送帶受控轉動，形成所述載臺的所述周向軌跡。

3.如權利要求1所述的基板濕制程工藝方法，其特征在于所述沿所述周向軌跡外側設置處理設備包括：

在所述周向軌跡左側的工藝位設置蝕刻前清洗的所述處理設備，清洗所述基板正面；

在所述周向軌跡下方的工藝位設置蝕刻的所述處理設備和蝕刻后清洗第一過程的所述處理設備，蝕刻所述基板正面，清洗蝕刻藥液；

在所述周向軌跡右側的工藝位設置蝕刻后清洗第二過程的所述處理設備，干燥所述基板正面，局部清洗所述基板背面；

在所述周向軌跡上方的工藝位設置蝕刻后清洗第三過程的所述處理設備，清洗所述基板背面。

4.如權利要求3所述的基板濕制程工藝方法，其特征在于所述在所述基板輸送過程中，所述載臺調整所述基板的朝向和/或高度配合所述處理設備包括：

所述周向軌跡左側的工藝位設置EUV燈，所述EUV燈的輻照方向朝向所述周向軌跡；

所述載臺受控調整所述基板正面朝向所述EUV燈的輻照方向。

5.如權利要求3所述的基板濕制程工藝方法，其特征在于所述在所述基板輸送過程中，所述載臺調整所述基板的朝向和/或高度配合所述處理設備包括：

所述周向軌跡下方的工藝位順序設置藥液液刀和第一清洗液刀，所述藥液液刀和所述第一清洗液刀的噴淋方向向上；

所述載臺受控調整所述基板正面向下，朝向所述藥液液刀和所述第一清洗液刀的噴淋方向。

6.如權利要求3所述的基板濕制程工藝方法，其特征在于所述在所述基板輸送過程中，所述載臺調整所述基板的朝向和/或高度配合所述處理設備包括：

所述周向軌跡右側的工藝位沿周向軌跡設置外側的第一風刀、內側的第二清洗液刀和第二風刀，所述第一風刀的清洗方向朝向所述周向軌跡，所述第二清洗液刀和所述第二風刀的清洗方向背向所述周向軌跡；

所述載臺受控調整所述基板正面朝向所述第一風刀的清洗方向，所述基板背面朝向所述第二清洗液刀和所述第二風刀。

7.如權利要求3所述的基板濕制程工藝方法，其特征在于所述在所述基板輸送過程中，所述載臺調整所述基板的朝向和/或高度配合所述處理設備包括：

在所述周向軌跡上方的工藝位順序設置水浮清洗裝置和氣浮清洗裝置，所述水浮清洗裝置和所述氣浮清洗裝置的清洗方向向上；

所述載臺受控調整所述基板背面向下，朝向所述水浮清洗裝置和所述氣浮清洗裝置的清洗方向。

8.一種基板濕制程工藝裝置，包括：載臺、環形輸送帶和處理設備，載臺固定在環形輸送帶周向的輸送面上，隨環形輸送帶轉動，處理設備設置在環形輸送帶外側的工藝位，所述載臺設置有支撐架，用于形成承載基板的初始平面；所述載臺還設置有第一吸盤，用于固定并支撐所述基板背面；所述載臺在所述第一吸盤間還設置有第二吸盤，用于固定并支撐基板背面；所述支撐架、所述第一吸盤和所述第二吸盤用于交替支撐所述基板。

9.如權利要求8所述的基板濕制程工藝裝置，還包括EUV燈、藥液液刀、第一清洗液刀、第二清洗液刀、第一風刀、第二風刀、水浮清洗裝置和氣浮清洗裝置，所述EUV燈設置在所述環形輸送帶左側的工藝位，所述EUV燈的輻照方向朝向環形輸送帶，所述藥液液刀和第一清洗液刀設置在環形輸送帶下方的工藝位，所述第一風刀設置在環形輸送帶右側的工藝位外側，所述第二清洗液刀和第二風刀設置在環形輸送帶右側的工藝位內側，所述第一風刀的噴射方向朝向環形輸送帶，所述第二清洗液刀和所述第二風刀的噴淋方向背向所述環形輸送帶，所述水浮清洗裝置和氣浮清洗裝置設置在所述環形輸送帶上方的工藝位。