[發明專利]基于納米溝道的凹槽柵增強型GaN晶體管器件有效
| 申請號： | 201710380274.1 | 申請日： | 2017-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN106981514B | 公開（公告）日： | 2023-07-18 |
| 發明（設計）人： | 周幸葉;馮志紅;呂元杰;譚鑫;王元剛;宋旭波;徐鵬 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人： | 夏素霞 |
| 地址： | 050051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 納米 溝道 凹槽 增強 gan 晶體管 器件 | ||
【權利要求書】：
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