[發明專利]一種異質結太陽能電池的制備方法及異質結太陽能電池

在審

• 申請號: 201710379489.1
• 申請日: 2017-05-25
• 公開（公告）號: CN107170850A
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發明（設計）人: 陳賢剛;楊苗;郁操;張津燕;徐希翔
• 申請（專利權）人: 君泰創新（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/18
• 代理公司: 北京清源匯知識產權代理事務所(特殊普通合伙)11644
• 代理人: 馮德魁,竇曉慧

1.一種異質結太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：

提供基片；

在所述基片的兩側分別沉積本征層；

在所述基片兩側的所述本征層上分別沉積n型摻雜層和p型摻雜層，所述n型摻雜層和/或p型摻雜層至少為兩層，且所述n型摻雜層和/或所述p型摻雜層的各層在遠離所述基片的縱向方向上的摻雜濃度呈遞增狀；

在所述n型摻雜層和所述p型摻雜層上分別依次形成透明導電層和電極層。

2.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述n型摻雜層和/或p型摻雜層的各層在遠離所述基片縱向方向上的厚度呈遞減狀。

3.根據權利要求2所述的異質結太陽能電池的制備方法，其特征在于，在所述基片上的所述本征層上沉積n型摻雜層包括：

在所述本征層上沉積第一n型摻雜層，沉積條件為：氣體流量體積比范圍為H2/SiH4/PH3＝4～10/2/1～2；氣壓范圍為大于等于0.3mbar，小于等于2.0mbar；射頻功率范圍為大于等于500W，小于等于2000W；厚度范圍為大于5nm，小于等于10nm；

在所述第一n型摻雜層上沉積第二n型摻雜層，沉積條件為：氣體流量體積比的范圍H2/SiH4/PH3＝4～10/2/2～3；氣壓范圍為大于等于0.3mbar，小于等于2.0mbar；射頻功率范圍為大于等于500W，小于等于2000W；厚度范圍為大于3nm，小于等于5nm；

在所述第二n型摻雜層上沉積第三n型摻雜層，沉積條件為：氣體流量體積比的范圍是H2/SiH4/PH3＝4～10/2/3～4；氣壓范圍為大于等于0.3mbar，小于等于2.0mbar；射頻功率范圍為大于等于500W，小于等于2000W；厚度范圍為大于等于1nm，小于等于3nm。

4.根據權利要求3所述的異質結太陽能電池的制備方法，其特征在于：在沉積每一所述n型摻雜層是在抽真空后進行。

5.根據權利要求2所述的異質結太陽能電池的制備方法，其特征在于：在所述基片上的所述本征層上沉積p型摻雜層的沉積條件為：

氣體流量體積比為H2/SiH4/B2H6＝4～10/2/1～4；氣壓范圍為大于等于0.3mbar，小于等于2.0mbar；射頻功率范圍為大于等于500W，小于等于2000W；沉積厚度范圍為大于等于4nm，小于等于10nm。

6.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述本征層采用的沉積方式是：采用甚高頻-等離子體增強化學氣相沉積。

7.根據權利要求6所述的異質結太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述本征層的沉積條件為：

氣體流量體積比為H2/SiH4＝0～10/1；氣壓范圍為大于等于0.3mbar，小于等于2.0mbar；射頻功率范圍為大于等于200W，小于等于2000W；沉積厚度范圍為大于等于5nm，小于等于15nm。

8.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述提供基片包括：

對所述基片的表面進行制絨和/或清洗的預處理。

9.一種異質結太陽能電池，其特征在于，包括：基片，本征層、n型摻雜層、p型摻雜層和電極層，所述本征層設置于所述基片的兩側，所述n型摻雜層和p型摻雜層分別設置于所述基片兩側的所述本征層上，所述電極層分別設置于所述基片兩側的所述n型摻雜層和p型摻雜層上；

所述n型摻雜層和/或p型摻雜層至少設置為兩層，且在遠離所述基片的縱向方向上，所述n型摻雜層和/或p型摻雜層中各層的摻雜濃度呈遞增狀。

10.根據權利要求9所述的異質結太陽能電池，其特征在于，所述n型摻雜層和/或p型摻雜層的各層在遠離所述基片的縱向方向上的厚度呈遞減狀。

11.根據權利要求10所述的異質結太陽能電池，其特征在于，在所述n型摻雜層設置于所述基片的所述本征層包括：

在靠近所述本征層的一側設置第一n型摻雜層；

在所述第一n型摻雜層上設置第二n型摻雜層；

在所述第二n型摻雜層上設置第三n型摻雜層。