[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體器件的方法、半導(dǎo)體襯底組件和管芯組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710378000.9
• 申請(qǐng)日: 2017-05-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107437528B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M.布倫鮑爾;F.馬里亞尼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/13;H01L23/31
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進(jìn);張濤

本發(fā)明涉及將半導(dǎo)體管芯從半導(dǎo)體襯底分離的方法、半導(dǎo)體襯底組件以及半導(dǎo)體管芯組件。從主表面（101）向半導(dǎo)體襯底（100）中刻蝕分離凹槽（150）。所述分離凹槽（150）使芯片區(qū)（110）在平行于主表面（101）的水平方向上分離。所述分離凹槽（150）中的至少一些與所述半導(dǎo)體襯底（100）的橫向外表面（103）隔開(kāi)至多第一距離（ex1）。沿著橫向表面（103）形成凹口（158）。凹口（158）從主表面101延伸到半導(dǎo)體襯底（100）中。凹口（158）的最小水平凹口寬度（ex2）等于或大于第一距離（d1）。凹口158關(guān)于主表面（101）的垂直延伸（v2）等于或大于分離凹槽（150）的垂直延伸（v1）。

背景技術(shù)

管芯單體化表示將各個(gè)半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體管芯從半導(dǎo)體晶片隔離的工藝。通過(guò)劃片和斷裂（例如，通過(guò)機(jī)械鋸切或激光切割）完成的切割工藝沿著切口線對(duì)半導(dǎo)體管芯進(jìn)行分離。在切割之后，各個(gè)半導(dǎo)體芯片通常被安裝到芯片載體和/或包封在芯片外殼中。DBG（研磨前切割）首先通過(guò)使用半分割切割器來(lái)對(duì)晶片進(jìn)行不完全切割，所述半分割切割器在晶片正面上的芯片區(qū)之間形成切割道。切割道的深度等于或大于半導(dǎo)體芯片的最終目標(biāo)厚度。固定到經(jīng)切割的表面的剛性載體構(gòu)件使經(jīng)半切割的晶片在研磨工藝期間穩(wěn)定，所述研磨工藝將晶片從未經(jīng)切割的表面減薄到最終目標(biāo)厚度。研磨工藝使切割道暴露并且完成半導(dǎo)體芯片的分離。柔性拾取帶被附接到半導(dǎo)體芯片的與研磨帶相對(duì)的一側(cè)上，所述研磨帶在下面被移除。拾取帶可以將經(jīng)分離的半導(dǎo)體芯片保持在適當(dāng)?shù)奈恢茫钡教幚硌b置或操作員拾取所述半導(dǎo)體芯片以進(jìn)行進(jìn)一步處理，例如進(jìn)行封裝或安置。

需要改進(jìn)用于管芯單體化的工藝（諸如DBG）的產(chǎn)量。

發(fā)明內(nèi)容

通過(guò)獨(dú)立權(quán)利要求的主題內(nèi)容來(lái)實(shí)現(xiàn)所述目標(biāo)。另外的實(shí)施例是從屬權(quán)利要求的主題。

根據(jù)實(shí)施例，一種制造半導(dǎo)體器件的方法包括從主表面向半導(dǎo)體襯底中刻蝕分離凹槽。所述分離凹槽使芯片區(qū)在平行于主表面的水平方向上分離。所述分離凹槽中的至少一些與橫向外表面之間的距離至多是第一距離。形成沿著橫向外表面從主表面延伸到半導(dǎo)體襯底中的凹口。最小水平凹口寬度等于或大于所述第一距離，并且所述凹口關(guān)于所述主表面的垂直延伸等于或大于所述分離凹槽的垂直延伸。

根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，一種半導(dǎo)體襯底組件包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括芯片區(qū)，所述芯片區(qū)通過(guò)相等地隔開(kāi)的、平行的第一分離凹槽并且通過(guò)相等地隔開(kāi)的、平行的第二分離凹槽水平地分離，所述第一分離凹槽和所述第二分離凹槽從主表面延伸到半導(dǎo)體襯底中，其中所述第二分離凹槽與所述第一分離凹槽正交地相交。分離凹槽中的至少一些與所述半導(dǎo)體襯底的橫向外表面隔開(kāi)至多第一距離。沿著所述主表面與橫向表面形成的邊緣，凹口從所述主表面延伸到所述半導(dǎo)體襯底中。所述凹口關(guān)于所述主表面的垂直延伸等于或大于所述分離凹槽的垂直延伸，并且最小水平凹口寬度等于或大于所述第一距離。

根據(jù)另外的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體管芯組件包括多個(gè)半導(dǎo)體管芯，所述半導(dǎo)體管芯分別通過(guò)相等地隔開(kāi)的分離溝槽在兩個(gè)正交水平方向上分離。所述半導(dǎo)體管芯布置在圍繞所述半導(dǎo)體管芯組件的中心軸具有第一半徑的圓內(nèi)。第一半徑比晶片標(biāo)準(zhǔn)半徑小至少1mm并且至多5mm的凹口寬度。所述半導(dǎo)體管芯組件另外包括剛性載體構(gòu)件和柔性拾取帶中的至少一個(gè)。載體構(gòu)件通過(guò)輻射或熱釋放粘附膜而粘附到在所述半導(dǎo)體管芯的正面處的第一表面上。柔性拾取帶通過(guò)輻射或熱釋放粘附膜而粘附到在所述半導(dǎo)體管芯的背部上的第二表面上。

本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀下面的詳細(xì)描述并且查看附圖時(shí)將認(rèn)識(shí)到附加的特征和優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且被并入在本說(shuō)明書(shū)中且構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分。附圖圖示本發(fā)明的實(shí)施例并且連同描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。將容易領(lǐng)會(huì)本發(fā)明的其他實(shí)施例和意圖的優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)樗鼈兺ㄟ^(guò)參考下面的詳細(xì)描述而變得更好理解。

圖1A是在形成刻蝕掩模之后的、根據(jù)實(shí)施例圖示一種用于通過(guò)“研磨前切割”工藝將半導(dǎo)體管芯從半導(dǎo)體襯底分離的方法的、半導(dǎo)體襯底的部分的示意性俯視圖，所述實(shí)施例涉及終止的掩模凹槽和最初終止的分離凹槽。