[發明專利]半導體制作工藝在審
| 申請號： | 201710377577.8 | 申請日： | 2017-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN108946656A | 公開（公告）日： | 2018-12-07 |
| 發明（設計）人： | 魏國智;陳翁宜;李世偉 | 申請（專利權）人： | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶片 半導體制作工藝 制作工藝 保護層 半導體元件 有效地 晶背 背面 光致抗蝕劑材料 表面硬化處理 圖案化 覆蓋 | ||
1.一種半導體制作工藝，其特征在于，包括：
提供晶片，其中所述晶片具有正面與背面，且在所述晶片的所述正面上具有半導體元件；
在所述晶片的所述正面上形成保護層，其中所述保護層覆蓋所述半導體元件，且所述保護層的材料包括光致抗蝕劑材料；
對所述保護層進行表面硬化處理制作工藝；以及
對所述晶片的所述背面進行第一圖案化制作工藝。
2.根據權利要求1所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述半導體元件包括微機電系統元件或邏輯元件。
3.根據權利要求2所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述微機電系統元件包括感測器元件。
4.根據權利要求3所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述感測器元件包括加速度計、微機電系統麥克風、光感測器或氣體感測器。
5.根據權利要求1所述的半導體制作工藝，其特征在于，還包括在形成所述保護層之前或之后，對所述晶片的所述背面進行薄化制作工藝。
6.根據權利要求5所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述薄化制作工藝包括研磨制作工藝。
7.根據權利要求1所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述光致抗蝕劑材料包括I-線光致抗蝕劑、氟化氬光致抗蝕劑或氟化氪光致抗蝕劑。
8.根據權利要求1所述的半導體制作工藝，其特征在于，還包括在進行所述表面硬化處理制作工藝之前，對所述保護層進行第二圖案化制作工藝。
9.根據權利要求8所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述第二圖案化制作工藝包括光刻制作工藝。
10.根據權利要求1所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述表面硬化處理制作工藝包括對所述保護層進行離子注入制作工藝。
11.根據權利要求10所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述離子注入制作工藝的摻質包括磷、硼或砷。
12.根據權利要求10所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述離子注入制作工藝的注入濃度為1×1015離子/平方厘米至4×1015離子/平方厘米。
13.根據權利要求10所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述離子注入制作工藝的注入能量為50keV至100keV。
14.根據權利要求10所述的半導體制作工藝，其特征在于，還包括在進行所述離子注入制作工藝之前，對所述保護層進行回火制作工藝。
15.根據權利要求14所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述回火制作工藝的溫度為150℃至250℃。
16.根據權利要求1所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述第一圖案化制作工藝包括：
在所述晶片的所述背面上形成圖案化光致抗蝕劑層；以及
以所述圖案化光致抗蝕劑層作為掩模，從所述晶片的所述背面移除部分所述晶片。
17.根據權利要求16所述的半導體制作工藝，其特征在于，部分所述晶片的移除方法包括干蝕刻制作工藝、濕蝕刻制作工藝或其組合。
18.根據權利要求17所述的半導體制作工藝，其特征在于，所述干蝕刻制作工藝包括深反應性離子蝕刻制作工藝。
19.根據權利要求16所述的半導體制作工藝，其特征在于，還包括在移除部分所述晶片之后，移除所述圖案化光致抗蝕劑層。
20.根據權利要求1所述的半導體制作工藝，其特征在于，還包括在進行所述第一圖案化制作工藝之后，移除所述保護層。
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