[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201710377223.3
• 申請日: 2017-05-25
• 公開（公告）號: CN107833918B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 下村紗矢;加藤浩朗;小林研也
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勛

1.一種半導體裝置，其特征在于包括：

第1導電型的第1半導體區域；

第2導電型的第2半導體區域，選擇性設置在所述第1半導體區域之上；

第1導電型的第3半導體區域，選擇性設置在所述第2半導體區域之上；

柵極電極，隔著第1絕緣部設置在所述第1半導體區域中及所述第2半導體區域中，且在第1方向上延伸；

第1電極，設置在所述第3半導體區域之上，且與所述第3半導體區域電連接；

第2絕緣部，在所述第1半導體區域中與所述柵極電極相隔，且僅具有在與所述第1方向交叉的第2方向上延伸的部分；

第3絕緣部，具有在所述第1方向上延伸的第1絕緣部分，且所述第1絕緣部分在所述第2方向上位于所述柵極電極與所述第2絕緣部之間，所述第3絕緣部在所述第1半導體區域中與所述柵極電極及所述第2絕緣部相隔；及

第2電極，設置在所述第2絕緣部及所述第3絕緣部之上，且與所述柵極電極電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述柵極電極在所述第2方向上設置著多個，

所述第2絕緣部在所述第1方向上設置著多個，

所述第1絕緣部分在所述第2方向上，位于所述多個柵極電極與所述多個第2絕緣部之間。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述柵極電極在所述第2方向上設置著多個，

所述第2絕緣部在所述第1方向上設置著多個，

所述第3絕緣部還具有在所述第2方向上延伸的第2絕緣部分，且

所述第1絕緣部分在所述第2方向上，位于所述多個柵極電極的一部分與所述多個第2絕緣部之間，

所述第2絕緣部分在所述第1方向上，位于所述多個柵極電極的另一部分與所述多個第2絕緣部之間。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于還包括：

第1導電部，設置在所述第2絕緣部中；及

第2導電部，設置在所述第3絕緣部中；且

所述第1導電部在所述第2方向上延伸，

所述第2導電部具有在所述第1絕緣部分中沿著所述第1方向延伸的第1導電部分；

所述第1導電部及所述第2導電部與所述第1電極及所述第2電極電分離。

5.一種半導體裝置，其特征在于包括：

第1導電型的第1半導體區域；

第2導電型的第2半導體區域，選擇性設置在所述第1半導體區域之上；

第1導電型的第3半導體區域，選擇性設置在所述第2半導體區域之上；

柵極電極，隔著第1絕緣部設置在所述第1半導體區域中及所述第2半導體區域中，且在第1方向上延伸；

第1電極，設置在所述第3半導體區域之上，且與所述第3半導體區域電連接；

第2絕緣部，在所述第1半導體區域中與所述柵極電極相隔，且僅具有在所述第1方向上延伸的部分；

第3絕緣部，具有在與所述第1方向交叉的第2方向上延伸的第2絕緣部分，且所述第2絕緣部分在所述第1方向上位于所述柵極電極與所述第2絕緣部之間，所述第3絕緣部在所述第1半導體區域中與所述柵極電極及所述第2絕緣部相隔；及

第2電極，設置在所述第2絕緣部及所述第3絕緣部之上，且與所述柵極電極電連接。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：

所述柵極電極在所述第2方向上設置著多個，

所述第2絕緣部在所述第2方向上設置著多個，

所述第2絕緣部分在所述第1方向上，位于所述多個柵極電極與所述多個第2絕緣部之間。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：

所述柵極電極在所述第2方向上設置著多個，

所述第2絕緣部在所述第2方向上設置著多個，

所述第3絕緣部還具有在所述第1方向上延伸的第1絕緣部分，且

所述第1絕緣部分在所述第2方向上，位于所述多個柵極電極的一部分與所述多個第2絕緣部之間，

所述第2絕緣部分在所述第1方向上，位于所述多個柵極電極的另一部分與所述多個第2絕緣部之間。