[發明專利]用于供應流體的單元及用該單元處理基板的裝置和方法在審
| 申請號: | 201710377065.1 | 申請日: | 2017-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN107437518A | 公開(公告)日: | 2017-12-05 |
| 發明(設計)人: | 金俙煥;李暎熏 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所11410 | 代理人: | 石寶忠 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 供應 流體 單元 處理 裝置 方法 | ||
技術領域
本文中公開的本發明涉及一種用流體處理基板的裝置和方法,更具體地,涉及一種用于供應流體的裝置和方法。
背景技術
為了制造半導體裝置,通過諸如光刻、蝕刻、灰化、離子注入和薄膜沉積等各種工藝在基板上形成期望的圖案。在每個工藝中會使用各種工藝液體,并且在該工藝過程中產生污染物和顆粒。為了解決這個問題,基本上在每個處理之前和之后進行用于清潔污染物和顆粒的清潔工藝。
通常,在清潔步驟中,用化學品和沖洗液處理基板,然后干燥。在干燥處理步驟中,用有機溶劑例如異丙醇(IPA)干燥基板作為干燥殘留在基板上的沖洗液的步驟。然而,由于在基板上形成的圖案與圖案之間的距離(CD:臨界尺寸)變得更細,有機溶劑會殘留在圖案之間的間隙中。
為了除去殘余的有機溶劑,進行超臨界處理工藝。超臨界處理工藝通過將超臨界流體供應至位于腔室中的基板來處理基板。超臨界處理工藝是在臨界壓力和臨界溫度之上的氣氛中進行的。圖1是表示一般的超臨界處理裝置的橫截面圖。參考圖1,通過供應管線4將流體供應至腔室2。流體在被供應至腔室2之前,其通過過濾器8過濾,并且流體可以保持一定水平的清潔度。
當超臨界處理工藝完成時,腔室2的內部氣氛通過連接至供應管線4的排出管線6排出。排出管線6的連接點位于過濾器8的下游。因此,當排出時,內部氣氛對過濾器8沒有大的影響,同時當過濾器8的使用次數增加時污染物積聚。
發明內容
本文中所述的本發明構思的實施方式涉及一種可以改善安裝在流體供應管線中的過濾器的壽命的裝置和方法。
本文中描述的本發明構思的實施方式涉及一種用于清潔積聚在過濾器中的污染物而不需要單獨的維護工作的裝置和方法。
本發明構思的實施方式提供一種用于供應流體的裝置和方法。基板處理裝置包括:處理單元,其用于處理基板;和流體供應單元,其用于將流體供給所述處理單元,其中,所述流體供應單元包括:供應罐,其中儲存流體;供應管線,其連接所述供應罐和所述處理單元以將來自所述供應罐的流體供應至所述處理單元;過濾器,其安裝在供應管線上;以及排出管線,其從供應管線分叉出,其中,所述供應管線中的所述排出管線的分叉點位于所述過濾器的上游。
流體供應單元還包括:減壓構件,其設置在排出管線上用于減小排出管線的壓力;和控制器,其用于控制安裝在所述排出管線上的閥門,其中,在處理單元中處理基板時控制器關閉排出管線,當處理單元中的基板處理完成時,控制器可以控制閥以打開排出管線。處理單元包括:殼體,其中具有處理空間;和基板支撐構件,其用于在處理空間中支撐基板,其中,處理空間在處理基板期間可與外部隔離。處理單元是用超臨界流體處理基板的單元,并且流體可以包括超臨界二氧化碳(CO2)。
用于供應流體的單元包括:供應罐,其中儲存流體;供應管線,其連接供應罐和處理單元以將來自供應罐的流體供應至處理單元;過濾器,其安裝在供應管線上;以及排出管線,其從供應管線分叉出,其中,供應管線中的排出管線的分叉點位于過濾器的上游。
該單元包括:減壓構件,其設置在排出管線上用于減小排出管線的壓力;和控制器,其用于控制安裝在排出管線上的閥門,其中,控制器可以控制閥門以基于過濾器使流體雙向運動。
基板處理方法包括:將安裝在供應管線中的過濾器所過濾的流體供應至處理單元以處理基板,其中,基于過濾器使流體在供應管線中雙向運動。
流體在兩個方向上運動包括:處理步驟,其中使流體從過濾器沿一個方向運動并且供應至處理單元;后處理步驟,其中流體在處理步驟后在與所述一個方向相反的方向上運動。后處理步驟可以通過在過濾器的上游點從供應管線分叉出的排出管線排出流體。流體可以包括超臨界二氧化碳(CO2)。
根據實施方式,排出管線的分叉點相對于流體的供應方向位于過濾器的上游。作為結果,流體可以基于過濾器在兩個方向上運動以清潔過濾器中積聚的污染物。
而且,根據實施方式,可以通過清潔過濾器中積聚的污染物來改善過濾器的壽命。
附圖說明
圖1是表示一般的超臨界處理裝置的橫截面圖。
圖2是表示本發明的實施方式的基板處理裝置的俯視圖。
圖3是表示用于清潔圖2的第一處理室中的基板的裝置的橫截面圖。
圖4是表示用于干燥圖2的第二處理室中的基板的裝置的橫截面圖。
圖5是表示圖4的基板支撐單元的透視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





