[發明專利]射頻發射機

有效

• 申請號: 201710375446.6
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN108933607B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 馮澤民;侯晨龍
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H04B1/04
• 分類號: H04B1/04
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 羅振安

1.一種射頻發射機，其特征在于，所述射頻發射機包括：數模轉換器、無源網絡、兩個緩沖器、混頻器和功率放大器；

所述數模轉換器的兩個輸出端與所述無源網絡的兩個輸入節點一一連接，且所述數模轉換器的兩個輸出端與所述兩個緩沖器的輸入端一一連接；所述兩個緩沖器的輸出端與所述混頻器的兩個輸入端一一連接；所述混頻器的輸出端與所述功率放大器的輸入端連接；所述功率放大器的輸出端與天線連接；其中，所述無源網絡用于對輸入的電流信號進行濾波處理，并同時將所述電流信號轉換為電壓信號，所述兩個緩沖器均為單級結構的高速緩沖器；

其中，所述無源網絡包括兩個無源單元，所述兩個無源單元的一端與所述數模轉換器的兩個輸出端一一連接，所述兩個無源單元的另一端接地；或者，所述無源網絡包括兩個無源單元，所述兩個無源單元的一端與所述數模轉換器的兩個輸出端一一連接，所述兩個無源單元的另一端與外部電源連接；

其中，所述兩個緩沖器中的每個緩沖器包括電流源和第五PMOS管，所述電流源的一端與外部電源連接，所述電流源的另一端分別與所述第五PMOS的源極和所述混頻器的一個輸入端連接，所述第五PMOS管的柵極與所述數模轉換器的一個輸出端連接，所述第五PMOS管的漏極接地；或者，所述兩個緩沖器中的每個緩沖器包括電流源和第五NMOS管，所述第五NMOS管的漏極與外部電源連接，所述第五NMOS管的柵極與所述數模轉換器的一個輸出端連接，所述電流源的一端分別與所述第五NMOS管的源極 和所述混頻器的一個輸入端連接，所述電流源的另一端接地。

2.如權利要求1所述的射頻發射機，其特征在于，所述數模轉換器包括多個第一電流舵單元，每個第一電流舵單元包括電流源、第一P型金屬氧化物半導體PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管；

所述電流源的一端與外部電源連接，所述電流源的另一端分別與所述第一PMOS管的源極和所述第二PMOS管的源極連接；所述第一PMOS管的柵極與第一信號源連接，所述第一PMOS管與所述第三PMOS管正向串聯；所述第二PMOS管的柵極與第二信號源連接，所述第二PMOS管與所述第四PMOS管正向串聯；所述第三PMOS管的柵極與所述第四PMOS管的柵極連接，且所述第三PMOS管的柵極和所述第四PMOS管的柵極均與第三信號源連接；所述第三PMOS管的漏極和所述第四PMOS管的漏極與所述無源網絡的兩個輸入節點一一連接，且所述第三PMOS管的漏極和所述第四PMOS管的漏極與所述兩個緩沖器的輸入端一一連接。

3.如權利要求1所述的射頻發射機，其特征在于，所述數模轉換器包括多個第二電流舵單元，每個第二電流舵單元包括電流源、第一N型金屬氧化物半導體NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；

所述電流源的一端接地，所述電流源的另一端分別與所述第一NMOS管的源極和所述第二NMOS管的源極連接；所述第一NMOS管的柵極與第一信號源連接，所述第一NMOS管與所述第三NMOS管正向串聯；所述第二NMOS管的柵極與第二信號源連接，所述第二NMOS管與所述第四NMOS管正向串聯；所述第三NMOS管的柵極與所述第四NMOS管的柵極連接，且所述第三NMOS管的柵極和所述第四NMOS管的柵極均與第三信號源連接；所述第三NMOS管的漏極和所述第四NMOS管的漏極與所述無源網絡的兩個輸入節點一一連接，且所述第三NMOS管的漏極和所述第四NMOS管的漏極與所述兩個緩沖器的輸入端一一連接。

4.如權利要求1所述的射頻發射機，其特征在于，所述兩個無源單元中的每個無源單元包括第一電阻和第一電容，所述第一電阻與所述第一電容并聯；或者，

所述兩個無源單元中的每個無源單元包括第二電阻、第三電阻、第二電容和第三電容，所述第二電阻與所述第二電容并聯，所述第二電阻和所述第二電容組成的電路與所述第三電容串聯，所述第二電阻、所述第二電容和所述第三電容組成的電路與所述第三電阻并聯。