[發明專利]一種承載基座及預清洗裝置在審
| 申請號： | 201710373464.0 | 申請日： | 2017-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN108962810A | 公開（公告）日： | 2018-12-07 |
| 發明（設計）人： | 常大磊;陳鵬;趙夢欣;李冬冬;李萌;劉菲菲;劉建生 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/687 | 分類號： | H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 曾晨;馬佑平 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 承載基座 凹部 待加工工件 預清洗裝置 中心區域 底壁 刻蝕 承載 容納 | ||
1.一種承載基座，用于承載待加工工件，其特征在于，所述承載基座上形成有第一凹部，所述待加工工件容納于所述第一凹部中；
所述第一凹部的底壁上設有第二凹部，所述第二凹部用于降低所述待加工工件中心區域的刻蝕速率。
2.根據權利要求1所述的承載基座，其特征在于，所述第一凹部、所述第二凹部與所述承載基座同心設置。
3.根據權利要求1所述的承載基座，其特征在于，所述第一凹部開設于所述承載基座的承載面上。
4.根據權利要求3所述的承載基座，其特征在于，所述第一凹部的直徑大于所述待加工工件的直徑，且二者直徑的差值范圍為1mm-6mm，所述第一凹部的深度的取值范圍為0.3mm-1.5mm。
5.根據權利要求1所述的承載基座，其特征在于，所述第二凹部的開口的面積為所述待加工工件的表面積的40％-95％，所述第二凹部的深度的取值范圍為0.1mm-0.5mm。
6.根據權利要求1所述的承載基座，其特征在于，所述承載基座上設有用于所述待加工工件的支撐針升降的通孔，所述通孔與所述待加工工件的邊緣的徑向距離不小于10mm。
7.根據權利要求1所述的承載基座，其特征在于，所述承載基座上未設置有所述第一凹部的表面設有陶瓷層。
8.根據權利要求1所述的承載基座，其特征在于，所述第一凹部和第二凹部的表面上均設有陽極氧化膜。
9.根據權利要求1所述的種承載基座，其特征在于，所述承載基座的邊緣區域設有介質環，所述介質環的內周壁與所述承載基座的承載面形成所述第一凹部。
10.根據權利要求9所述的承載基座，其特征在于，所述介質環的內徑大于所述待加工工件的直徑，且二者直徑的差值范圍為2mm-4mm，所述介質環的厚度取值范圍為3mm-5mm。
11.根據權利要求9所述的承載基座，其特征在于，所述承載基座還包括定位件，所述定位件與所述承載基座的徑向配合，用于使所述介質環定位在所述承載基座上。
12.根據權利要求11所述的承載基座，其特征在于，所述定位件與所述介質環二者一體成型。
13.一種預清洗裝置，其特征在于，包括腔體和權利要求1至12任一項中所述的承載基座，所述承載基座設置于所述腔體中。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方華創微電子裝備有限公司，未經北京北方華創微電子裝備有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710373464.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
