[發明專利]用于減少從線性離子阱徑向射出的離子的動能擴散的系統和方法

有效

• 申請號: 201710373123.3
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN107437491B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: V·V·考弗陶恩
• 申請（專利權）人: 薩默費尼根有限公司
• 主分類號: H01J49/06
• 分類號: H01J49/06;G01N27/62
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 姬利永

1.一種用于識別樣本的組分的方法，其包括：

向質量選擇性線性離子阱供應離子，所述離子阱包含彼此隔開并且包圍阱內部的多個阱電極，所述多個阱電極包含第一對阱電極和第二對阱電極，和定位成鄰近于所述第二對阱電極中的所述阱電極中的至少一個中形成的阱出口孔口的嵌入DC電極，所述阱電極被配置成用于在所述阱內部中生成RF俘獲場；

在所述RF俘獲場內俘獲所述離子；

向所述嵌入DC電極施加DC電壓；

向所述第一對阱電極施加主RF電壓；

向所述第二對阱電極施加所述主RF的一部分，并且將施加于所述第一對阱電極的所述主RF增加相同的量，以維持所述第一對阱電極與第二對阱電極之間的電壓差；以及

通過向所述第二對阱電極施加輔助RF電壓，借此基于離子的質量從所述阱內部選擇性地射出離子，所述輔助RF電壓在所述第二對阱電極中的第一阱電極與第二阱電極之間180°不同相地施加。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述RF控制電路被配置成以所述主RF電壓的頻率的整數分數頻率生成所述輔助RF電壓。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述RF控制電路被配置成維持所述主RF電壓與所述輔助RF電壓之間的相位鎖定。

4.根據權利要求1所述的方法，其中施加于所述第二對阱電極的所述主RF電壓部分在所述第一對阱電極與第二對阱電極之間的RF電壓差的2％與10％之間。

5.根據權利要求4所述的方法，其中施加于所述第二對阱電極的所述主RF電壓部分在所述第一對阱電極與第二對阱電極之間的RF電壓差的3％與7％之間。

6.根據權利要求5所述的方法，其中施加于所述第二對阱電極的所述主RF電壓部分在所述第一對阱電極與第二對阱電極之間的RF電壓差的4％與6％之間。

7.根據權利要求1所述的方法，其中在25eV窗內從阱射出的離子的百分比在50與100之間。

8.根據權利要求7所述的方法，其中在25eV窗內從阱射出的離子的百分比在70與90之間。

9.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括向所述多個阱電極施加DC偏置電壓。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述DC偏置電壓隨著從所述離子阱出來的離子的質量而變。

11.一種質量選擇性離子俘獲裝置，其包括：

多個阱電極，其彼此隔開并且包圍阱內部，所述多個阱電極包含第一對阱電極和第二對阱電極，所述第二對阱電極中的所述阱電極中的至少一個包含包括孔口的阱出口，所述阱電極被配置成用于在所述阱內部中生成RF俘獲場并且用于從所述阱內部質量選擇性射出離子；

嵌入DC電極，其定位成鄰近于所述阱出口；

電壓控制，其被配置成向所述嵌入DC電極施加DC電壓；

RF電路，其被配置成：

向所述第一對阱電極施加主RF電壓；

向所述第二對阱電極施加所述主RF的一部分，并且將施加于所述第一對阱電極的所述主RF增加相同的量，以維持所述第一對阱電極與第二對阱電極之間的電壓差；以及

向所述第二對阱電極施加輔助RF電壓，所述輔助RF電壓在所述第二對阱電極中的第一阱電極與第二阱電極之間180°不同相地施加。

12.根據權利要求11所述的質量選擇性離子俘獲裝置，其中所述RF控制電路被配置成以所述主RF電壓頻率的整數分數頻率生成所述輔助RF電壓。

13.根據權利要求12所述的質量選擇性離子俘獲裝置，其中所述RF控制電路被配置成維持所述主RF電壓與所述輔助RF電壓之間的相位鎖定。