[發(fā)明專利]漏光檢測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710373006.7
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN107457494B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 中村勝
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B23K26/70
• 分類號: B23K26/70;H01L21/66;H01L21/78
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;喬婉

本發(fā)明提供漏光檢測方法，能夠容易地檢測當(dāng)照射對于晶片具有透過性的波長的激光光線而形成改質(zhì)層時到達(dá)晶片的下表面的激光光線的漏光。一種漏光檢測方法，該漏光檢測方法包含如下的工序：涂裝工序，利用油性標(biāo)記對涂裝晶片的下表面進(jìn)行涂裝；壓接工序，將粘合帶壓接在晶片的下表面上；改質(zhì)層形成工序，將對于晶片具有透過性的波長的激光光線的聚光點(diǎn)從晶片的上表面定位在晶片的內(nèi)部而進(jìn)行照射從而形成改質(zhì)層；剝離工序，將所壓接的粘合帶剝離；以及漏光檢測工序，檢測涂布在下表面上的涂裝因該剝離工序而被去除的區(qū)域作為存在漏光的區(qū)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及漏光檢測方法，當(dāng)將對于晶片具有透過性的波長的激光光線的聚光點(diǎn)從晶片的上表面定位在晶片的內(nèi)部而進(jìn)行照射從而形成改質(zhì)層時，檢測到達(dá)晶片的下表面的激光光線的漏光。

背景技術(shù)

由分割預(yù)定線劃分而在正面上形成有IC、LSI等多個器件的晶片被切割裝置、激光加工裝置分割成各個器件芯片，分割得到的器件芯片被應(yīng)用在移動電話、個人計算機(jī)等電子設(shè)備中。

激光加工裝置大致包含：卡盤工作臺，其對晶片進(jìn)行保持；激光照射單元，其照射對于保持在該卡盤工作臺上的晶片具有透過性的波長的脈沖激光光線；以及加工進(jìn)給單元，其對該卡盤工作臺和激光照射單元相對地進(jìn)行加工進(jìn)給，該激光加工裝置能夠在晶片的與分割預(yù)定線對應(yīng)的內(nèi)部形成作為分割起點(diǎn)的改質(zhì)層(例如，參照專利文獻(xiàn)1。)。

并且，由于當(dāng)將激光光線的聚光點(diǎn)從形成有器件的晶片的正面?zhèn)榷ㄎ辉谂c分割預(yù)定線對應(yīng)的晶片的內(nèi)部時，形成于晶片的正面的器件被激光光線的一部分照射而產(chǎn)生損傷以及激光光線因分割預(yù)定線上的凹凸而發(fā)生不規(guī)則反射，所以通常進(jìn)行從晶片的背面?zhèn)日丈浼す夤饩€而形成改質(zhì)層的加工。

專利文獻(xiàn)1：日本特許第3408805號公報

這里，根據(jù)通過上述的激光加工裝置在晶片的內(nèi)部形成改質(zhì)層的激光加工，從背面照射的激光光線的能量基本被使用于形成改質(zhì)層，但有時也會因所選擇的波長或輸出以及其他的加工條件而使一部分激光光線成為漏光而到達(dá)晶片的正面。在從晶片的背面?zhèn)日丈涞募す夤饩€保持原狀地直行并漏出到正面?zhèn)鹊姆指铑A(yù)定線上的情況下，并不會特別地成為問題。但是，有時聚光點(diǎn)被定位在晶片的內(nèi)部的激光光線因之前形成的改質(zhì)層或從改質(zhì)層延伸的裂紋等影響而發(fā)生折射或反射從而被引導(dǎo)至隨機(jī)的方向上，會到達(dá)沿著分割預(yù)定線配置的器件并造成損傷。因此，在照射激光光線而在晶片的內(nèi)部形成改質(zhì)層時，需要預(yù)先驗(yàn)證出該漏光對器件造成影響的加工條件，并采取盡可能地回避該加工條件的設(shè)定。但是，以往，存在無法容易地把握上述漏光如何產(chǎn)生的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于上述事實(shí)而完成的，其主要的技術(shù)課題在于，提供漏光的檢測方法，當(dāng)將對于晶片具有透過性的波長的激光光線的聚光點(diǎn)從晶片的上表面定位在晶片的內(nèi)部而進(jìn)行照射從而形成改質(zhì)層時，能夠容易地檢測到達(dá)晶片的下表面的激光光線的漏光。

根據(jù)本發(fā)明的一個側(cè)面，提供漏光檢測方法，當(dāng)將對于晶片具有透過性的波長的激光光線的聚光點(diǎn)從晶片的上表面定位在晶片的內(nèi)部而進(jìn)行照射從而形成改質(zhì)層時，檢測到達(dá)晶片的下表面的激光光線的漏光，其特征在于，該漏光檢測方法具有如下的工序：涂裝工序，對晶片的下表面涂裝油性標(biāo)記；壓接工序，在實(shí)施了涂裝工序之后，將粘合帶壓接在晶片的下表面上；改質(zhì)層形成工序，在實(shí)施了壓接工序之后，將對于晶片具有透過性的波長的激光光線的聚光點(diǎn)從晶片的上表面定位在晶片的內(nèi)部而進(jìn)行照射從而形成改質(zhì)層；剝離工序，在實(shí)施了改質(zhì)層形成工序之后，將所壓接的粘合帶剝離；以及漏光檢測工序，檢測涂布在下表面上的涂裝因該剝離工序而被去除的區(qū)域作為存在漏光的區(qū)域。