[發明專利]基板處理裝置以及基板處理方法

有效

• 申請號: 201710372813.7
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN107481954B
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 佐佐木悠太;塙洋祐;灘原壯一;上田大;北川廣明;奧村勝彌
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇;董雅會

1.一種基板處理裝置，其特征在于，

具有：

供給機構，向基板的圖案形成面供給含有熔融狀態的升華性物質的處理液；

凝固機構，使所述處理液在所述圖案形成面上凝固形成凝固體；以及

升華機構，使所述凝固體升華，將所述凝固體從所述圖案形成面除去，

所述升華性物質含有碳氟化合物，

所述碳氟化合物為下述的化合物A～化合物E中的至少任意的化合物，

化合物A：碳原子個數為3～6的氟烷，或者在該氟烷上鍵合從由除了氟基以外的鹵基、羥基、氧原子、羧基以及全氟烷基構成的組中選擇出的至少一種基而形成的化合物；

化合物B：碳原子個數為3～6的氟環烷烴，或者在該氟環烷烴上鍵合從由除了氟基以外的鹵基、羥基、氧原子、羧基以及全氟烷基構成的組中選擇出的至少一種基而形成的化合物；

化合物C：碳原子個數為10的氟二環烷烴，或者在該氟二環烷烴上鍵合從由除了氟基以外的鹵基、能夠具有鹵素原子的環烷基以及包括能夠具有鹵素原子的環烷基的烷基構成的組中選擇出的至少一種基而形成的化合物；

化合物D：氟四氰基醌二甲烷，或者在該氟四氰基醌二甲烷上至少鍵合有除了氟基以外的一個鹵基的化合物；

化合物E：氟環三磷腈，或者在該氟環三磷腈上鍵合從由除了氟基以外的鹵基、苯氧基以及烷氧基構成的組中選擇出的至少一種基而形成的化合物。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述處理液還含有相對所述升華性物質表現出相溶性的醇類，

所述醇類的濃度相對于所述處理液處于0.001體積％～0.8體積％的范圍內。

3.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述醇類是異丙醇。

4.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述化合物A是十四氟己烷。

5.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述化合物B是從由1，1，2，2-四氯-3，3，4，4-四氟環丁烷、1，2，3，4，5-五氟環戊烷、1，1，2，2，3，3，4-七氟環戊烷、氟環己烷、十二氟環己烷、1，1，4-三氟環己烷、2-氟環乙醇、4，4-二氟環己酮、4，4-二氟環己烷羧酸以及1，2，2，3，3，4，4，5，5，6，6-十一氟-1-(九氟丁基)環己烷構成的組中選擇出的至少一種化合物。

6.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述化合物C是2-[二氟(十一氟環己基)甲基]-1，1，2，3，3，4，4，4a，5，5，6，6，7，7，8，8，8a-十七氟十氫萘。

7.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述化合物D是四氟四氰基醌二甲烷。

8.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述化合物E是六氟環三磷腈。

9.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述供給機構在大氣壓下向所述基板的圖案形成面供給所述處理液，

所述凝固機構在大氣壓下將所述處理液冷卻至所述升華性物質的凝固點以下。

10.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

作為所述升華性物質的碳氟化合物在大氣壓下具有升華性，

所述升華機構使所述升華性物質在大氣壓下升華。

11.根據權利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述凝固機構以及所述升華機構是通用的氣體供給機構，該氣體供給機構將至少相對于所述升華性物質為非活性的非活性氣體以該升華性物質的凝固點以下的溫度向所述圖案形成面供給。