[發(fā)明專利]一種選擇性遏制三陰性乳腺癌細(xì)胞惡性程度的物理方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710372545.9 | 申請(qǐng)日： | 2017-05-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107365746A | 公開（公告）日： | 2017-11-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 戴曉峰;徐瀟宇;肖少慶;顧曉峰;陸文怡 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江南大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C12N5/09 | 分類號(hào)： | C12N5/09 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214122 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 選擇性 遏制 陰性 乳腺 癌細(xì)胞 惡性 程度 物理 方法 | ||
1.一種選擇性遏制乳腺癌細(xì)胞惡性程度的物理方法，其特征在于：首先利用低溫常壓氦氣等離子處理培養(yǎng)基來激活培養(yǎng)基，使其帶有大量有效的活性物質(zhì)，然后這些活性物質(zhì)通過處理后的培養(yǎng)基與乳腺癌細(xì)胞的相互作用可將乳腺癌細(xì)胞殺死，從而起到遏制三陰性乳腺癌細(xì)胞惡性程度的作用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法是物理方法間接處理癌細(xì)胞的方法，利用低溫常壓氦氣等離子體處理培養(yǎng)基，然后通過處理后的培養(yǎng)基與乳腺癌細(xì)胞的相互作用進(jìn)而將三陰性乳腺癌細(xì)胞殺死。此方法不同于等離子體直接處理乳腺癌細(xì)胞的方法。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫常壓等離子體，其等離子體束流的長度為2-3cm，橫截面積為0.5-1mm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫常壓等離子體，其電源采用射頻電源，頻率為10KHz左右，輸出電壓：0.96～1.24KV。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫常壓等離子體，其電離氣體為氦氣，流量為1SCCM。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫常壓等離子體，等離子體束流截面積與培養(yǎng)基面積比為0.0025-0.005。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述等離子體處理培養(yǎng)基時(shí)，等離子體束流尾端與培養(yǎng)基的距離為1cm，盛放培養(yǎng)基的板子是24孔板，培養(yǎng)基的體積為1ml。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述等離子體處理培養(yǎng)基的時(shí)間至少為2分鐘，處理的培養(yǎng)基與癌細(xì)胞相互作用的時(shí)間為至少4小時(shí)。
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