[發明專利]電子部件、電子部件的制造方法以及電子設備

有效

• 申請號: 201710372434.8
• 申請日: 2015-03-30
• 公開（公告）號: CN107256773B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 小林茂;川瀨恭一;櫻井勝
• 申請（專利權）人: 阿爾卑斯阿爾派株式會社
• 主分類號: H01F27/29
• 分類號: H01F27/29;H01F27/32;H01F41/00
• 代理公司: 11021 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李逸雪<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種電子部件，其特征在于，具備：

磁性構件，其具有成型體以及形成于所述成型體的表面部上的絕緣層，所述成型體由將包含強磁性金屬粉末的粉末進行加壓成型而成的成形制造物形成且具有空孔；

導電性構件，其具有位于所述磁性構件的內部的部分；以及

導電性的兩個連接端部，其在與所述導電性構件的各個端部電連接的狀態下形成于所述磁性構件的所述絕緣層上，

所述磁性構件具有設置了兩個通電區域的面，所述兩個連接端部的一方位于所述兩個通電區域的一方，所述兩個連接端部的另一方位于所述兩個通電區域的另一方，

所述連接端部具備鍍層，

所述絕緣層具備由無機系的材料形成的無機絕緣層，

所述絕緣層的表面電阻為1×10¹²Ω/□以上，

所述絕緣層在所述無機絕緣層與所述成型體之間具備浸漬涂層，

在具備所述浸漬涂層而不具備所述無機絕緣層的狀態下，在所述磁性構件的表面具有低絕緣性區域。

2.根據權利要求1所述的電子部件，其中，

所述鍍層通過電鍍而形成在設置于所述絕緣層上的金屬化層上。

3.根據權利要求1或2所述的電子部件，其中，

所述無機絕緣層包含絕緣性的氧化物系材料。

4.根據權利要求1或2所述的電子部件，其中，

所述無機絕緣層由SiO₂構成。

5.根據權利要求1或2所述的電子部件，其中，

所述絕緣層被設置成覆蓋構成所述成型體的表面部的所述強磁性金屬粉末。

6.根據權利要求1或2所述的電子部件，其中，

所述浸漬涂層含有硅酮樹脂。

7.根據權利要求1或2所述的電子部件，其中，

所述成型體含有有機系成分。

8.一種電子部件的制造方法，該電子部件具備具有成型體和絕緣層的磁性構件、以及導電性的兩個連接端部，所述成型體具有空孔，該電子部件的制造方法的特征在于，包括：

成型步驟，對包含強磁性金屬粉末以及粘合劑成分的混合體進行成型；

無機絕緣層形成步驟，在經過所述成型步驟得到的所述成型體上形成包含由無機系的材料形成的無機絕緣層的絕緣層，得到所述磁性構件；以及

連接端部形成步驟，在所述磁性構件的所述絕緣層上形成所述兩個連接端部，

所述絕緣層的表面電阻為1×10¹²Ω/□以上，

在所述成型步驟結束后且所述無機絕緣層形成步驟開始前，還包括在所述磁性構件上形成浸漬涂層的浸漬涂布步驟，

在所述浸漬涂布步驟結束后且所述無機絕緣層形成步驟開始前的狀態下，在所述磁性構件的表面具有低絕緣性區域，

所述兩個連接端部具備由導電性膏形成的金屬化層和形成于所述金屬化層的鍍層，

所述連接端部形成步驟包括在所述絕緣層上涂敷所述導電性膏來形成金屬化層、以及進行電鍍處理在所述金屬化層上形成所述鍍層，

所述磁性構件具有設置了兩個通電區域的面，所述兩個連接端部的一方位于所述兩個通電區域的一方，所述兩個連接端部的另一方位于所述兩個通電區域的另一方。

9.根據權利要求8所述的電子部件的制造方法，其中，

包括退火步驟，所述退火步驟對通過所述成型步驟得到的成型制造物進行退火處理。

10.根據權利要求8或9所述的電子部件的制造方法，其中，

所述無機絕緣層形成步驟包括干法成膜工藝。

11.根據權利要求8或9所述的電子部件的制造方法，其中，

所述無機絕緣層形成步驟包括濕法成膜工藝。

12.根據權利要求8或9所述的電子部件的制造方法，其中，

所述浸漬涂層包含硅酮樹脂。