[發明專利]一種AT切型石英晶片MEMS加工方法有效
| 申請號： | 201710372397.0 | 申請日： | 2017-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN107161945B | 公開（公告）日： | 2019-02-22 |
| 發明（設計）人： | 葉竹之;陸旺;李輝;蒲波;雷晗 | 申請（專利權）人： | 成都泰美克晶體技術有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都金英專利代理事務所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610017 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 at 石英 晶片 mems 加工 方法 | ||
1.一種AT切型石英晶片MEMS加工方法，其特征在于包括以下步驟：
S01：石英晶片研磨和拋光處理；
S02：在拋光后的石英晶片表層蒸發鍍或者磁控濺射鍍Au薄膜；
S03：雙面涂覆光刻膠，雙面對準使用光罩掩膜版曝光制作圖形；
S04：對曝光后的石英晶片顯影，后烘處理固化圖形；
S05：通過Au蝕刻液對未被光刻圖形保護區域蝕刻，去除多余Au薄膜；
S06：使用激光對光刻刻蝕區域中心位置進行切割作業；
S07：切割后的石英晶片進入由HF和NH4F混合組成的腐蝕液中腐蝕，腐蝕后圖形由Au光刻圖形決定；
S08：去除光刻膠層、Au薄膜層。
2.根據權利要求1所述的一種AT切型石英晶片MEMS加工方法，其特征在于：所述的步驟S02中鍍Au薄膜的厚度50-300nm。
3.根據權利要求1所述的一種AT切型石英晶片MEMS加工方法，其特征在于：所述的步驟S03中圖形雙面對準精度＜5um，曝光量（30-50）mj/cm2 。
4.根據權利要求1所述的一種AT切型石英晶片MEMS加工方法，其特征在于：所述的步驟S04中顯影時間為10分鐘，后烘溫度為140℃。
5.根據權利要求1所述的一種AT切型石英晶片MEMS加工方法，其特征在于：所述的步驟S06中切割區域寬度20-100um，使用的是PS激光器，其焦距是0.1~1um、功率是100~300uw。
6.根據權利要求1所述的一種AT切型石英晶片MEMS加工方法，其特征在于：所述的步驟S07中的腐蝕液HF和NH4F的配比為1:（1-3）。
7.根據權利要求1所述的一種AT切型石英晶片MEMS加工方法，其特征在于：所述的步驟S07中的腐蝕時間為6小時。
8.根據權利要求1所述的一種AT切型石英晶片MEMS加工方法，其特征在于：還包括在所有加工完成后采用腐蝕的方法微調石英晶片頻率。
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