[發(fā)明專利]一種用于分析深亞微米級SOI工藝芯片的腐蝕溶液及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710372213.0
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN107132472B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 單書珊;趙揚(yáng);王繼業(yè);陳燕寧;邵瑾;張海峰;趙東艷
• 申請（專利權(quán)）人: 北京智芯微電子科技有限公司;國家電網(wǎng)公司;國網(wǎng)信息通信產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司
• 主分類號: G01R31/307
• 分類號: G01R31/307;H01L21/311
• 代理公司: 北京中譽(yù)威圣知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279
• 代理人: 李曉康;龔鎮(zhèn)雄

1.一種用于分析深亞微米級SOI工藝芯片的腐蝕溶液，其特征在于，包括：氫氟酸、二氧化硅刻蝕液、丙三醇和水；

所述氫氟酸、二氧化硅刻蝕液、丙三醇和水之間的體積配比為1~5:2~5:5~30:5~30；

所述二氧化硅刻蝕液由氫氟酸與水或氟化銨與水混合而成，或者二氧化硅刻蝕液是HF與NH4F依不同比例混合而成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腐蝕溶液，其特征在于，所述氫氟酸、二氧化硅刻蝕液、丙三醇和水之間的體積配比為1~5:3:10:10。

3.一種用于分析深亞微米級SOI工藝芯片的方法，其特征在于，包括：

利用特性腐蝕溶液腐蝕掉待測芯片的器件層上的二氧化硅，所述特性腐蝕溶液包括：氫氟酸、二氧化硅刻蝕液、丙三醇和水，且所述氫氟酸、二氧化硅刻蝕液、丙三醇和水之間的體積配比為1~5:2~5:5~30:5~30；所述二氧化硅刻蝕液由氫氟酸與水或氟化銨與水混合而成，或者二氧化硅刻蝕液是HF與NH4F依不同比例混合而成；

將腐蝕后的待測芯片用去離子水清洗后晾干；

將晾干后的待測芯片放置于反性酸性染色溶液中進(jìn)行染色處理，所述反性酸性染色溶液包括：氫氟酸、硝酸和冰醋酸，且所述氫氟酸、硝酸和冰醋酸之間的體積配比為1:3~8:50~100；

根據(jù)掃描電子顯微鏡采集的染色后的待測芯片的圖像數(shù)據(jù)確定所述待測芯片的類型。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述利用特性腐蝕溶液腐蝕掉待測芯片器件層上的二氧化硅之前，還包括：

去除所述待測芯片的金屬層，并利用所述特性腐蝕溶液對所述待測芯片進(jìn)行調(diào)整，確定所述待測芯片的多晶層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述將腐蝕后的待測芯片用去離子水清洗后晾干之前，還包括：

利用雙氧水腐蝕掉所述待測芯片的接觸孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用特性腐蝕溶液腐蝕掉待測芯片的器件層上的二氧化硅，包括：

利用特性腐蝕溶液多次腐蝕掉待測芯片的器件層上的二氧化硅，且每次的腐蝕時(shí)間不超過1分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述將晾干后的待測芯片放置于反性酸性染色溶液中進(jìn)行染色處理，包括：

將晾干后的待測芯片放置于反性酸性染色溶液中浸泡10~30秒。

8.根據(jù)權(quán)利要求3-7任一所述的方法，其特征在于，所述氫氟酸、二氧化硅刻蝕液、丙三醇和水之間的體積配比為1~5:3:10:10。

9.根據(jù)權(quán)利要求3-7任一所述的方法，其特征在于，所述氫氟酸、硝酸和冰醋酸之間的體積配比為1:5:80。