[發明專利]一種制備富勒烯/半導體異質結的方法在審
| 申請號： | 201710372131.6 | 申請日： | 2017-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN107128900A | 公開（公告）日： | 2017-09-05 |
| 發明（設計）人： | 萬能;邵志勇;趙小康 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | C01B32/154 | 分類號： | C01B32/154;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司32200 | 代理人： | 樓高潮 |
| 地址： | 210096 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 富勒烯 半導體 異質結 方法 | ||
1.一種制備富勒烯/半導體異質結的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
第一步：對半導體襯底進行表面清洗，以濺射或者蒸發的方法在半導體襯底表面制備一層厚度為1~5 nm的非晶碳薄膜；
第二步：將第一步制備的帶有非晶碳薄膜的襯底放入電子顯微鏡的真空腔體內；
第三步：用電子顯微鏡定位后，以定位位置為中心，在周圍設置直徑2~10nm的刻蝕保護區，然后開啟電子顯微鏡的高能電子束，將刻蝕保護區以外的區域刻蝕；
第四步：刻蝕完畢后，將高能電子束定位至刻蝕保護區，開啟高能電子束對刻蝕保護區進行輻照，形成球形的富勒烯結構后停止輻照，最終完成制備過程。
2.根據權利要求1所述的一種制備富勒烯/半導體異質結的方法，其特征在于，所述第一步中半導體襯底為氧化鋅、硫化鎘、氧化銦、氧化銦錫、硫化鋅、硅或者碳化硅。
3.根據權利要求1所述的一種制備富勒烯/半導體異質結的方法，其特征在于，所述第三步中電子顯微鏡的電子束電壓為60~200 kV。
4.根據權利要求 1所述的一種制備富勒烯/半導體異質結的方法，其特征在于，所述第二步中電子顯微鏡的真空腔體內溫度以及帶有非晶碳薄膜的襯底的溫度均小于50 ℃。
5.根據權利要求 1所述的一種制備富勒烯/半導體異質結的方法，其特征在于，所述第三步進行刻蝕時高能電子束的電壓大于80 kV。
6.根據權利要求1所述的一種制備富勒烯/半導體異質結的方法，其特征在于，所述第三步進行刻蝕時高能電子束的強度大于300 A/cm2。
7.根據權利要求1所述的一種制備富勒烯/半導體異質結的方法，其特征在于，所述第四步進行輻照時高能電子束的電壓為60~200 kV。
8.根據權利要求1所述的一種制備富勒烯/半導體異質結的方法，其特征在于，所述第四步進行輻照時高能電子束的強度小于100 A/cm2。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東南大學，未經東南大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710372131.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種球狀氮摻雜碳納米材料的制備方法
- 下一篇：一種定向有序碳納米管制備方法
