[發明專利]濺射裝置及使用該濺射裝置的濺射方法

在審

• 申請號: 201710372058.2
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN107435135A
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發明（設計）人: 崔丞鎬;柳海永;李康熙
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司11018
• 代理人: 康泉,宋志強

1.一種濺射裝置，包括：

基板支架；

第一對置靶單元，包括第一靶和至少一個第一磁性部，以在鄰近所述第一靶的第一等離子體區域中形成磁場；

第二對置靶單元，包括第二靶和至少一個第二磁性部，以在鄰近所述第二靶的第二等離子體區域中形成磁場，所述第二對置靶單元在第一方向上與所述第一對置靶單元分離，在所述第一對置靶單元與所述第二對置靶單元之間具有所述第一等離子體區域和所述第二等離子體區域；

電源單元，用于將第一電力電壓供給到所述第一靶和所述第二靶；以及

控制陽極，在與所述第一方向相交的第二方向上面對所述基板支架，在所述控制陽極與所述基板支架之間具有所述第一等離子體區域和所述第二等離子體區域，并且所述控制陽極接收大于所述第一電力電壓的控制電壓。

2.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中所述電源單元用于將所述第一電力電壓和第二電力電壓交替地供給到所述第一靶和所述第二靶。

3.根據權利要求2所述的濺射裝置，其中：

所述第一電力電壓和所述第二電力電壓與周期性地限定的電源周期同步；

在所述電源周期的第一時段期間，所述第一電力電壓將被施加到所述第一靶，并且所述第二電力電壓將被施加到所述第二靶；并且

在所述電源周期的第二時段期間，所述第一電力電壓將被施加到所述第二靶，并且所述第二電力電壓將被施加到所述第一靶。

4.根據權利要求2所述的濺射裝置，其中所述第二電力電壓低于所述第一電力電壓。

5.根據權利要求1所述的濺射裝置，進一步包括：

控制磁性部，所述控制磁性部在所述第二方向上面對所述基板支架，在所述控制磁性部與所述基板支架之間具有所述第一等離子體區域和所述第二等離子體區域。

6.根據權利要求5所述的濺射裝置，其中：

所述控制陽極位于所述第一等離子體區域與所述控制磁性部之間以及所述第二等離子體區域與所述控制磁性部之間。

7.根據權利要求5所述的濺射裝置，進一步包括：

多個第一磁性部；以及

多個第二磁性部；其中

所述控制磁性部的第一磁極和第二磁極順序地排列在所述第一方向上；

所述第一磁性部中最鄰近所述控制磁性部的第一邊緣磁性部的第二磁極比所述第一邊緣磁性部的第一磁極更接近所述控制磁性部的所述第一磁極；并且

所述第二磁性部中最鄰近所述控制磁性部的第二邊緣磁性部的第一磁極比所述第二邊緣磁性部的第二磁極更接近所述控制磁性部的所述第二磁極。

8.根據權利要求7所述的濺射裝置，其中所述第一磁性部和所述第二磁性部的彼此面對的磁極具有相反的極性。

9.根據權利要求5所述的濺射裝置，其中所述控制陽極圍繞所述控制磁性部。

10.根據權利要求5所述的濺射裝置，進一步包括：

位于所述控制磁性部與所述第一等離子體區域之間的磁軛，

其中，所述磁軛還位于所述控制磁性部與所述第二等離子體區域之間，并且包括磁場屏蔽材料。

11.根據權利要求5所述的濺射裝置，其中以下條件被滿足：

θ_E<θ_M，

其中，

θ_E為由所述第一磁性部產生的所述磁場的侵蝕角，并且θ_M為參考角，所述參考角被限定為由從所述第一磁性部連接到所述控制陽極的虛擬線和垂直于所述第一對置靶單元中的第一磁性支架基板的法線所形成的角。

12.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中所述控制陽極在所述第一方向上與所述第一對置靶單元和所述第二對置靶單元隔開。

13.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中：

所述第一對置靶單元包括第一磁性支架基板和用于旋轉所述第一磁性支架基板的第一旋轉單元；

所述第二對置靶單元包括第二磁性支架基板和用于旋轉所述第二磁性支架基板的第二旋轉單元；并且

所述至少一個第一磁性部和所述至少一個第二磁性部分別位于所述第一磁性支架基板和所述第二磁性支架基板上。