[發(fā)明專利]一種改善隔離度的徑向波導功率分配/合成器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710371717.0
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN107196029B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 褚慶昕;何殷健
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01P5/16
• 分類號: H01P5/16
• 代理公司: 廣州市華學知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 馮炳輝

1.一種改善隔離度的徑向波導功率分配/合成器，其特征在于：包括上蓋板、上蓋墊片、膜片層蓋板、主腔體塊、下蓋墊片、下蓋板、電阻膜片、標準SMA接頭、饋電探針；所述主腔體塊內(nèi)形成有上下兩個開口的空腔，該兩個空腔之間連通有一個供用作中心輸入/輸出端口的標準SMA接頭通過的第一中心通孔及圍繞該第一中心通孔均勻分布的多個第一貫穿槽；所述膜片層蓋板放置在主腔體塊上，并蓋住主腔體塊的上空腔，與該主腔體塊構(gòu)成非封閉徑向波導腔體，所述膜片層蓋板的上表面中部下沉有一個形成大小與上蓋墊片相匹配的容置槽，所述容置槽槽底上開有多個圍繞其中心均勻分布的第一通孔，用于通過用作外圍輸出/輸入端口的標準SMA接頭，同時該容置槽槽底上開有多個與上述第一通孔交錯相間均布的第二貫穿槽，且每個第二貫穿槽上均覆蓋有一片電阻膜片；所述上蓋墊片放置在膜片層蓋板的容置槽中，并墊壓覆蓋于第二貫穿槽上的電阻膜片，同時該上蓋墊片上開有多個與膜片層蓋板上的第一通孔一一對應(yīng)的第二通孔，用于通過用作外圍輸出/輸入端口的標準SMA接頭；所述上蓋板放置在膜片層蓋板上，該上蓋板的上表面設(shè)有多個圍繞其中心均勻分布的第一安裝槽，用于放置用作外圍輸出/輸入端口的標準SMA接頭，所述第一安裝槽槽底上開有供該標準SMA接頭通過的第三通孔以及用于固定該標準SMA接頭的螺釘孔；每個第一貫穿槽朝向主腔體塊下空腔的槽口均覆蓋有一片電阻膜片，待第一貫穿槽和第二貫穿槽均覆蓋上電阻膜片后，所述膜片層蓋板與主腔體塊構(gòu)成封閉徑向波導腔體；所述下蓋墊片放置在主腔體塊的下空腔中，并墊壓覆蓋于第一貫穿槽上的電阻膜片，該下蓋墊片的形狀大小與主腔體塊的下空腔相匹配，同時該下蓋墊片上開有一個與上述第一中心通孔對應(yīng)的第二中心通孔，用于通過用作中心輸入/輸出端口的標準SMA接頭；所述下蓋板中心設(shè)有一個第二安裝槽，用于放置用作中心輸入/輸出端口的標準SMA接頭，所述第二安裝槽槽底上開有供該標準SMA接頭通過的第三中心通孔以及用于固定該標準SMA接頭的螺釘孔；所述標準SMA接頭伸進主腔體塊內(nèi)的一端連接有饋電探針，其另一端與外界信號系統(tǒng)相接；所述上蓋板、上蓋墊片、膜片層蓋板、主腔體塊、下蓋墊片、下蓋板組裝后采用螺釘進行整體組合固定。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善隔離度的徑向波導功率分配/合成器，其特征在于：所述主腔體塊內(nèi)的上、下空腔為形狀大小相匹配的圓柱形腔體，其半徑初始值、高度初始值由以下公式確定：

R＝λ_L/2+λ_M/4

式中，λ_L為最低工作頻率導波波長，λ_M為中間工作頻率導波波長；

H＝λ_H/2

式中，λ_H為最高工作頻率導波波長。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善隔離度的徑向波導功率分配/合成器，其特征在于：所述饋電探針由相連的圓柱段與圓錐阻抗?jié)u變段組成，所述圓錐阻抗?jié)u變段尖端與標準SMA接頭內(nèi)導體相接；所述饋電探針總長度由以下公式確定：

L＝λ_M/4

式中，λ_M為中間工作頻率導波波長。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善隔離度的徑向波導功率分配/合成器，其特征在于：所述上蓋板、上蓋墊片、膜片層蓋板、主腔體塊、下蓋墊片、下蓋板均為圓形金屬件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善隔離度的徑向波導功率分配/合成器，其特征在于：所述電阻膜片為在陶瓷基板上覆蓋氮化鉭的具有電阻性的膜片。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善隔離度的徑向波導功率分配/合成器，其特征在于：所述第一安裝槽和第二安裝槽為矩形凹槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善隔離度的徑向波導功率分配/合成器，其特征在于：所述第一貫穿槽和第二貫穿槽為條形槽。