[發明專利]一種應用于數模轉換器的帶隙基準電壓源

有效

• 申請號: 201710371409.8
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN107092298B
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發明（設計）人: 劉俊琪;張翼;邵珠雷
• 申請（專利權）人: 許昌學院
• 主分類號: G05F1/575
• 分類號: G05F1/575;H03M1/08
• 代理公司: 深圳眾邦專利代理有限公司 44545
• 代理人: 李茂松

1.一種應用于數模轉換器的帶隙基準電壓源，其特征在于，輸出基準電壓為2.5V，其包括MOS管M1，MOS管M2，電阻R1至R6，晶體管Q1至Q4，低失調運算放大器A1，低失調運算放大器A2，基準電壓輸出端口Vref；

MOS管M1的源極連接電源Vdd，MOS管M1的柵極連接低失調運算放大器A1的輸出端，MOS管M1的漏極連接電阻R2的上端；

MOS管M2的源極連接MOS管M1的源極，MOS管M2的柵極連接低失調運算放大器A2的輸出端，MOS管M2的漏極連接電阻R5的上端；

電阻R1的上端連接電阻R5的上端，電阻R1的下端連接晶體管Q1的基極；

電阻R2的上端連接電阻R3的上端，電阻R2的下端連接晶體管Q1的發射極；

電阻R3的上端連接MOS管M1的漏極，電阻R3的下端連接電阻R4的上端；

電阻R4的上端連接低失調運算放大器A2的反相輸入端，電阻R4的下端連接晶體管Q3的發射極；

電阻R5的上端連接基準電壓輸出端口Vref，電阻R5的下端連接電阻R6的上端；

電阻R6的上端連接低失調運算放大器A1的反相輸入端，電阻R6的下端連接晶體管Q3的基極；

低失調運算放大器A1的正相輸入端連接晶體管Q2的源極，低失調運算放大器A1的反相輸入端連接電阻R5的下端；

低失調運算放大器A2的正相輸入端連接晶體管Q1的發射極，低失調運算放大器A2的反相輸入端連接電阻R3的下端；

晶體管Q1的發射極連接電阻R2的下端，晶體管Q1的基極連接電阻R1的下端，晶體管Q1的集電極接地；

晶體管Q2的發射極連接晶體管Q1的基極，晶體管Q2的基極接地，晶體管Q2的集電極接地；

晶體管Q3的發射極連接電阻R4的下端，晶體管Q3的基極連接電阻R6的下端，晶體管Q3的集電極接地；

晶體管Q4的發射極連接晶體管Q3的基極，晶體管Q4的基極接地，晶體管Q4的集電極接地；

低失調運算放大器A1包括MOS管M3至M12，電阻R7，電阻R8，晶體管Q5，晶體管Q6，恒流源I1，恒流源I2，正相輸入端口Vp，反相輸入端口Vn，輸出端口Vo；

晶體管Q5的發射極連接恒流源I1的正極，晶體管Q5的基極連接正相輸入端口Vp，晶體管Q5的集電極連接電阻R7的上端；

晶體管Q6的發射極連接晶體管Q5的發射極，晶體管Q6的基極連接反相輸入端口Vn，晶體管Q6的集電極連接電阻R8的上端；

電阻R7的上端連接MOS管M3的柵極，電阻R7的下端接地；

電阻R8的上端連接MOS管M4的柵極，電阻R8的下端接地；

MOS管M3的源極連接恒流源I2的正極，MOS管M3的柵極連接晶體管Q5的集電極，MOS管M3的漏極連接MOS管M11的漏極；

MOS管M4的源極連接MOS管M3的源極，MOS管M4的柵極連接晶體管Q6的集電極，MOS管M4的漏極連接MOS管M12的漏極；

MOS管M5的源極連接電源Vdd，MOS管M5的柵極連接MOS管M6的柵極，MOS管M5的漏極連接MOS管M7的源極；

MOS管M6的源極連接MOS管M5的源極，MOS管M6的柵極連接MOS管M7的漏極，MOS管M6的漏極連接MOS管M8的源極；

MOS管M7的柵極連接MOS管M8的柵極，MOS管M7的漏極連接MOS管M9的漏極；

MOS管M9的漏極連接MOS管M6的柵極，MOS管M9的柵極連接MOS管M10的柵極，MOS管M9的漏極連接MOS管M11的漏極；

MOS管M10的漏極連接MOS管M8的漏極，MOS管M10的柵極連接輸出端口Vo，MOS管M10的源極連接MOS管M4的漏極；

MOS管M11的漏極連接MOS管M9的源極，MOS管M11的柵極連接MOS管M12的柵極，MOS管M11的源極接地；

MOS管M12的漏極連接MOS管M10的源極，MOS管M12的源極接地。