[發明專利]微發光二極管顯示面板及其制作方法有效
| 申請號: | 201710370730.4 | 申請日: | 2017-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN107170773B | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發明(設計)人: | 盧馬才 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
本發明提供一種微發光二極管顯示面板及其制作方法。該微發光二極管顯示面板的襯底基板上設有間隔排列的第一電極觸點和第二電極觸點,所述第一電極觸點和第二電極觸點分別與微發光二極管的底電極和連接電極接觸,所述連接電極還與微發光二極管的頂電極接觸,能夠在微發光二極管轉印后直接進行微發光二極管的檢測,降低產品檢測及修復的難度,提升產品良率。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種微發光二極管顯示面板及其制作方法。
背景技術
平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點,而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品,成為顯示裝置中的主流。
微發光二極管(Micro LED)顯示器是一種以在一個基板上集成的高密度微小尺寸的LED陣列作為顯示像素來實現圖像顯示的顯示器,同大尺寸的戶外LED顯示屏一樣,每一個像素可定址、單獨驅動點亮,可以看成是戶外LED顯示屏的縮小版,將像素點距離從毫米級降低至微米級,Micro LED顯示器和有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器一樣屬于自發光顯示器,但Micro LED顯示器相比OLED顯示器還具有材料穩定性更好、壽命更長、無影像烙印等優點,被認為是OLED顯示器的最大競爭對手。
在微發光二極管顯示面板的制作過程中,微發光二極管必須先在原始基板(如藍寶石類基板)上通過分子束外延的方法生長出來,而做成顯示面板,還必須要把微發光二極管器件從原始基板上轉移到用于形成顯示面板的接收基板上排成顯示陣列,具體為:先在原始基板上形成微發光二極管,隨后通過激光剝離技術(Laser lift-off,LLO)等方法將微發光二極管從原始基板上剝離開,并使用一個采用諸如聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)等材料制作的轉印頭,將微發光二極管從原始基板上吸附到接收基板上預設的位置。
目前,微發光二極管轉印到接收基板上后,還需要形成頂部電極后才能判斷微發光二極管與接收基板的邦定是否正常,但由于此時制程已經基本完成,這種情況下即便發現微發光二極管與接收基板的邦定不良,也已很難修復,因此需要提供一種新的微發光二極管顯示面板及其制作方法,能夠在轉印之后直接進行微發光二極管的工作狀況檢測,降低產品檢測及修復的難度,提升產品良率。
發明內容
本發明的目的在于提供一種微發光二極管顯示面板,能夠降低產品檢測及修復的難度,提升產品良率。
本發明的目的還在于提供一種微發光二極管顯示面板的制作方法,能夠降低產品檢測及修復的難度,提升產品良率。
為實現上述目的,本發明提供了一種微發光二極管顯示面板,包括:襯底基板、設于所述襯底基板上的多個陣列排布的子像素區域、設于每一個子像素區域內的間隔排列的第一電極觸點和第二電極觸點、以及設于每一個子像素區域內的第一電極觸點和第二電極觸點上的微發光二極管;
所述微發光二極管包括:與所述第一電極觸點接觸的底電極、設于所述底電極上方并與所述底電極接觸LED半導體層、設于所述LED半導體層上方并與所述LED半導體層接觸的頂電極、包圍所述LED半導體層的絕緣保護層、以及設于所述絕緣保護層上的連接所述頂電極和第二電極觸點的連接電極。
還包括:設于所述襯底基板與第一電極觸點和第二電極觸點之間的TFT層;
所述TFT層包括:設于所述襯底基板上的有源層、覆蓋所述有源層與所述襯底基板的柵極絕緣層、設于所述有源層上方的柵極絕緣層上的柵極、覆蓋所述柵極以及柵極絕緣層的層間絕緣層、設于所述層間絕緣層上的與所述有源層的兩端接觸的源極和漏極、以及覆蓋所述源極、漏極和層間絕緣層的鈍化層;所述第二電極觸點與所述源極接觸。
還包括設于鈍化層上且位于微發光二極管的四周的像素定義層、以及覆蓋所述鈍化層、第一電極觸點、第二電極觸點、微發光二極管及像素定義層的保護層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





