[發(fā)明專(zhuān)利]TFT基板的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710370203.3
• 申請(qǐng)日: 2017-05-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107068615B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李吉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/77
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/77;H01L27/12;G03F7/20;G03F7/42
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法。該方法通過(guò)采用含有可結(jié)晶析出的顏料的光刻膠材料形成光刻膠層，使得光刻膠層的表面形成若干毛刺結(jié)晶物，進(jìn)而使得像素電極薄膜無(wú)法完全覆蓋光刻膠層的表面，剝離液可以通過(guò)毛刺結(jié)晶物滲透到光刻膠層中對(duì)光刻膠層進(jìn)行腐蝕，從而同時(shí)剝離光刻膠層及光刻膠層上的像素電極薄膜，得到像素電極，相比于現(xiàn)有技術(shù)，進(jìn)行離地剝離時(shí)無(wú)需采用特別的光罩和光罩參數(shù)，也不需要進(jìn)行等離子處理，能夠簡(jiǎn)化TFT基板的制作流程，提升TFT基板的生產(chǎn)效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT基板的制作方法。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫(huà)質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括：前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動(dòng)IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運(yùn)動(dòng)；中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動(dòng)IC壓合與印刷電路板的整合，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)，顯示圖像。

現(xiàn)有的TFT基板的制作方法已從最初的7光罩(7Mask)技術(shù)逐漸發(fā)展到4光罩(4Mask，4M)技術(shù)，4個(gè)光罩分別用于形成：圖案化的柵極、圖案化的有源層和源/漏極、像素電極過(guò)孔、及圖案化的像素電極，與此同時(shí)，為了進(jìn)一步減化TFT基板的制作工藝，縮短生產(chǎn)時(shí)間，提升生產(chǎn)效率，3光罩技術(shù)(3Mask，3M)也已經(jīng)開(kāi)始在部分產(chǎn)品上使用，采用3光罩技術(shù)制作TFT基板的制程過(guò)程一般包括：在襯底基板上通過(guò)第一道光罩制程制作圖案化的柵極，在所述柵極和襯底基板上覆蓋柵極絕緣層，通過(guò)第二道光罩制程同時(shí)制作圖案化的有源層和源/漏極，在所述有源層和源/漏極上覆蓋鈍化層，通過(guò)第三道光罩制程在所述鈍化層上制作像素電極過(guò)孔和圖案化的光刻膠層，在所述光刻膠層和鈍化層上涂布像素電極材料，通過(guò)離地剝離(Lift Off)工藝剝離光刻膠層以及光刻膠層上的像素電極材料，制得圖案化的像素電極。其中，第二道光罩與第三道光罩均為灰階光罩(Gray Tone Mask，GTM)或半色調(diào)光罩(Half Tone Mask，HTM)。

其中，離地剝離(Lift Off)技術(shù)是從4光罩技術(shù)進(jìn)步到3光罩技術(shù)的關(guān)鍵，所謂離地剝離技術(shù)指的是一種能夠?qū)⒐饪棠z和光刻膠上所沉積薄膜一起剝離而不撕裂或損壞基板上的薄膜圖形的技術(shù)。具體到三光罩技術(shù)就是能夠?qū)⒐饪棠z(Photoresist，PR)和光刻膠上的像素電極薄膜同時(shí)剝離并留下圖案化的像素電極的技術(shù)。目前，實(shí)現(xiàn)這種光刻膠和光刻膠上的像素電極薄膜同時(shí)剝離的方法有兩種：第一種是通過(guò)特殊的灰階光罩或半色調(diào)光罩，搭配特別的光刻制程參數(shù)，使得部分區(qū)域的光刻膠形成底切(Undercut)，剝離液從底切的部位使光刻膠和光刻膠上的像素電極薄膜剝離；第二種，光刻膠層形成后，像素電極薄膜形成前，通過(guò)對(duì)光刻膠層的表面專(zhuān)門(mén)做等離子(plasma)處理，使得光刻膠層的表面形成凹凸不平的膜面，從而剝離液可以從該凹凸不平的膜面使光刻膠和光刻膠上的像素電極薄膜剝離，上述的兩種方法第一種需要采用特殊的灰階光罩或半色調(diào)光罩和特別的光刻制程參數(shù)，第二種需要對(duì)光刻膠層的表面專(zhuān)門(mén)進(jìn)行等離子處理，制作過(guò)程都十分繁瑣，生產(chǎn)時(shí)間長(zhǎng)，生產(chǎn)效率低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種TFT基板的制作方法，能夠簡(jiǎn)化TFT基板的制作流程，提升TFT基板的生產(chǎn)效率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟：