[發明專利]基于紫外光屏蔽層的鈣鈦礦光伏電池有效
| 申請號： | 201710370032.4 | 申請日： | 2017-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN107154461B | 公開（公告）日： | 2018-12-04 |
| 發明（設計）人： | 蔡榮杰;其他發明人請求不公開姓名 | 申請（專利權）人： | 深圳市景方盈科技有限公司;蔡榮杰 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司： | 杭州聚邦知識產權代理有限公司 33269 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈣鈦礦 紫外光屏蔽層 光伏電池 電子傳輸層 空穴傳輸層 反射電極 工作壽命 光吸收層 依次層疊 異質結 基底 | ||
1.基于紫外光屏蔽層的鈣鈦礦光伏電池，其特征在于，包括ITO導電玻璃基底、紫外光屏蔽層、空穴傳輸層、鈣鈦礦光吸收層、電子傳輸層和反射電極組成；所述的紫外光屏蔽層形成在ITO導電玻璃基底之上；所述的紫外屏光蔽層由N個依次層疊的m-MTDATA/F16CuPc異質結所組成；所述的m-MTDATA/F16CuPc異質結中m-MTDATA的厚度為2-5 nm，F16CuPc的厚度為2-5 nm；所述的紫外屏光蔽層中m-MTDATA/F16CuPc異質結個數N的數值范圍為10-30的整數，所述的空穴傳輸層形成在紫外光屏蔽層上，所述的空穴傳輸層為熱蒸鍍的30 nm CuI。
2.根據權利要求1所述的基于紫外光屏蔽層的鈣鈦礦光伏電池，其特征在于,所述的ITO導電玻璃基底的方塊電阻小于10歐姆，可見光透過率大于80%。
3.根據權利要求1所述的基于紫外光屏蔽層的鈣鈦礦光伏電池，其特征在于, 所述的鈣鈦礦光吸收層形成在空穴傳輸層上；所述的鈣鈦礦光吸收層為甲胺鉛碘多晶膜；所述的鈣鈦礦光吸收層優選厚度200-600 nm。
4.根據權利要求1所述的基于紫外光屏蔽層的鈣鈦礦光伏電池，其特征在于, 所述的電子傳輸層形成在鈣鈦礦光吸收層上；所述的電子傳輸層優選為PC60BM，PC70BM，ICBA，C60以及其它富勒烯衍生物；所述的電子傳輸層優選厚度20-200 nm。
5.根據權利要求1所述的基于紫外光屏蔽層的鈣鈦礦光伏電池，其特征在于, 所述的反射電極形成在電子傳輸層上；所述的反射電極優選為Ag或者Al，優選厚度為100-1000nm。
6.根據權利要求1所述的基于紫外光屏蔽層的鈣鈦礦光伏電池的制造方法，其特征在于，按以下步驟依次進行：
(1) ITO導電玻璃基底清洗；
(2) ITO導電玻璃基底上制備紫外光屏蔽層；
(3) 紫外光屏蔽層上制備空穴傳輸層;
(4) 空穴傳輸層上制備鈣鈦礦光吸收層;
(5) 鈣鈦礦光吸收層上制備電子傳輸層;
(6) 電子傳輸層上制備反射電極。
7.根據權利要求6所述的基于紫外光屏蔽層的鈣鈦礦光伏電池的制造方法，其特征在于，制備紫外光屏蔽層的制備采用真空熱沉積的方法進行，沉積速率控制為0.05 nm/s，沉積厚度和沉積速率使用石英晶振片進行監控。
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