[發(fā)明專利]用于鎖存防止的自適應(yīng)體偏置電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710369847.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107452761B | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 查爾斯·清樂·吳;高潤(rùn)鶴 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 齊楊 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 防止 自適應(yīng) 偏置 電路 | ||
1.一種成像系統(tǒng),其包括:
形成為列及行的像素陣列,每一行包含多個(gè)像素;
行地址解碼器,其包含多個(gè)解碼電路,所述多個(gè)解碼電路中的每一者耦合到相應(yīng)像素行,且所述多個(gè)解碼電路的每一解碼電路包含由相應(yīng)體端子耦合在一起的至少兩個(gè)晶體管,且其中所述多個(gè)解碼電路中的每一者的所述兩個(gè)晶體管的經(jīng)耦合的體端子耦合到第一節(jié)點(diǎn);及
控制電路,其耦合到所述行地址解碼器,所述控制電路包含耦合到所述第一節(jié)點(diǎn)的體偏置電路,所述體偏置電路響應(yīng)于所述成像系統(tǒng)的操作狀態(tài)而自適應(yīng)地向所述第一節(jié)點(diǎn)提供偏置電壓,所述體偏置電路包含:
偏置電路,其耦合在所述第一節(jié)點(diǎn)與第一及第二參考電壓源之間,所述偏置電路響應(yīng)于控制信號(hào)而選擇性地將所述第一參考電壓源或所述第二參考電壓源耦合到所述第一節(jié)點(diǎn),其中所述偏置電路包含:
第一及第二晶體管,其串聯(lián)耦合在所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第一參考電壓源之間;及
第三及第四晶體管,其串聯(lián)耦合在所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二參考電壓源之間;及
偏置控制電路,其耦合到所述偏置電路、所述第一及第二參考電壓源,且進(jìn)一步經(jīng)耦合以接收指示所述操作狀態(tài)的信號(hào),
其中,響應(yīng)于所述成像系統(tǒng)處于第一操作狀態(tài),所述偏置控制電路經(jīng)耦合以提供控制信號(hào),以啟用所述第三及第四晶體管以將所述第二參考電壓源耦合到所述第一節(jié)點(diǎn),并且停用所述第一及第二晶體管,且
其中,響應(yīng)于所述成像系統(tǒng)處于第二操作狀態(tài),所述偏置控制電路經(jīng)耦合以提供控制信號(hào),以啟用所述第一及第二晶體管以將所述第一參考電壓源耦合到所述第一節(jié)點(diǎn),并且停用所述第三及第四晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像系統(tǒng),其中所述第一操作狀態(tài)指示所述成像系統(tǒng)上電,且所述第二操作狀態(tài)指示所述成像系統(tǒng)掉電。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像系統(tǒng),其中所述偏置控制電路包含:
比較器,其具有耦合到所述第一參考電壓源的輸出的非反相輸入,耦合到所述第二參考電壓源的輸出的反相輸入,及經(jīng)耦合以接收指示所述操作狀態(tài)的所述信號(hào)的啟用輸入,且所述比較器具有輸出;
或非門,其具有耦合到所述比較器的所述輸出的第一輸入,及經(jīng)耦合以接收指示所述操作狀態(tài)的所述信號(hào)的第二輸入,且所述或非門具有耦合到所述第二晶體管的柵極的輸出;
第一反相器,其具有耦合到所述或非門的所述輸出的輸入,及耦合到所述第三晶體管的柵極的輸出;
電平移位器,其具有耦合到所述或非門的所述輸出的輸入,所述電平移位器經(jīng)耦合以將所述或非門的所述輸出的電壓電平移位到所述第二參考電壓源的電壓電平,且其中所述電平移位器具有耦合到所述第一晶體管的柵極的輸出;及
第二反相器,其具有耦合到所述電平移位器的所述輸出的輸入,及耦合到所述第四晶體管的柵極的輸出。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的成像系統(tǒng),其中所述比較器、所述或非門及所述第一反相器由所述第一參考電壓源偏置,且其中所述電平移位器及所述第二反相器由所述第二參考電壓源偏置。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的成像系統(tǒng),其中響應(yīng)于所述成像系統(tǒng)處于所述第一操作狀態(tài),所述比較器確定所述第二參考電壓源的電壓電平是否大于所述第一參考電壓源的電壓電平,且所述偏置控制電路響應(yīng)于所述確定將具有較大電壓電平的所述第一參考電壓源或所述第二參考電壓源耦合到所述第一節(jié)點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像系統(tǒng),其中所述第一參考電壓源是低電壓,且所述第二參考電壓源是高電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像系統(tǒng),其中所述第一、第二、第三及第四晶體管是PMOS晶體管。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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