[發明專利]微機械的傳感器和用于制造微機械的傳感器的方法

有效

• 申請號: 201710369579.2
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN107422146B
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: B.P.赫措根拉特;J.克拉森
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: G01P15/125
• 分類號: G01P15/125
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 梁冰;宣力偉

1.一種微機械的傳感器（100），其中，表面微機械地能夠制造所述微機械的傳感器（100），該傳感器具有至少一個構造在第三功能層（60）中的質量元件，該質量元件至少以區段的方式未被穿孔地構造；其中，在所述質量元件下方通過去除第二功能層（30）和至少一個氧化層（20）能夠制造縫隙（S）；其中，所述至少一個氧化層（20）的去除借助于把氣態的蝕刻介質引入到經限定數量的基本上彼此平行布置的蝕刻通道中來進行；其中，所述蝕刻通道與在所述第三功能層（60）中的豎直的進入通道能夠連接。

2.按照權利要求1所述的微機械的傳感器（100），其特征在于，所述縫隙（S）兩倍至十倍大于在所述第三功能層（60）的能夠運動的區段和位于其下的層之間的縫隙。

3.按照權利要求1所述的微機械的傳感器（100），其特征在于，所述縫隙（S）三倍至六倍地大于在所述第三功能層（60）的能夠運動的區段和位于其下的層之間的縫隙。

4.按照權利要求2或3所述的微機械的傳感器（100），其特征在于，在所述第三功能層（60）的未被穿孔的區域和所述位于其下的層之間的縫隙（S）計為5μm至8μm。

5.按照權利要求2或3所述的微機械的傳感器（100），其特征在于，在所述第三功能層（60）的未被穿孔的區域和所述位于其下的層之間的縫隙（S）計為7μm。

6.按權利要求1至3中任一項所述的微機械的傳感器（100），其特征在于，在所述第三功能層（60）的質量元件中，構造了經限定數量的經限定地構造的通孔（61）。

7.按權利要求1至3中任一項所述的微機械的傳感器（100），其特征在于，在所述第三功能層（60）的未被穿孔的區域的下方，在第一功能層（10）中構造導體電路平面。

8.按前述權利要求中1至3中任一項所述的微機械的傳感器（100），其特征在于，在所述第三功能層（60）的未被穿孔的區域的下方，構造了基體（1）。

9.一種用于表面微機械地制造根據權利要求1至8中任一項所述的微機械的傳感器（200）的方法，具有步驟：

-以分層的方式構造第一功能層（10）、第二功能層（30）和第三功能層（60），其中，在功能層（10、30、60）之間構造了各一個氧化層；

-經限定地去除所述第二功能層（30），并且在所述第二功能層（30）的區域中構造經限定數量的側向的經氧化的蝕刻通道；

-把豎直的進入通道構造到所述側向的蝕刻通道中；并且

-通過把氣態的蝕刻介質引入到所述側向的蝕刻通道中，經限定地去除所述氧化層。

10.按照權利要求9所述的方法，其中，在所述第三功能層（60）和位于其下的層之間的縫隙（S）構造在2μm至8μm的數量級中。

11.按照權利要求9所述的方法，其中，在所述第三功能層（60）和位于其下的層之間的縫隙（S）構造在3μm至6μm的數量級中。

12.按照權利要求9至11中任一項所述的方法，其中，在所述第三功能層（60）的下方構造了在第一功能層（10）中的電的導體電路。

13.按照權利要求9至11中任一項所述的方法，其中，多個側向的蝕刻通道基本上平行地彼此并列地構造。