[發明專利]一種浸漬石墨漿及其制備方法在審
| 申請號: | 201710369511.4 | 申請日: | 2017-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN108962607A | 公開(公告)日: | 2018-12-07 |
| 發明(設計)人: | 楊康;龐錦標;郭明亞;敬通國;韓玉成 | 申請(專利權)人: | 中國振華集團云科電子有限公司 |
| 主分類號: | H01G9/042 | 分類號: | H01G9/042 |
| 代理公司: | 昆明合眾智信知識產權事務所 53113 | 代理人: | 張璽 |
| 地址: | 550000 貴州省*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 石墨漿 浸漬 溶劑 制備 導電粒子 稀釋 聚合物樹脂 溶解聚合物 質量百分比 軋制 接觸界面 樹脂載體 鉭電容器 石墨層 稱量 搭接 電阻 配比 細度 銀層 預設 | ||
本發明公開了一種浸漬石墨漿及其制備方法,所述浸漬石墨漿,以質量百分比計,原料包括以下組分:導電粒子4~16%;聚合物樹脂載體6~20%;溶劑71~89%;助劑1~5%。所述制備方法包括以下步驟:(1)按照預設配比,稱量好各組分,然后將溶劑總重量的1/3用來溶解聚合物樹脂載體,并在100~300rpm/min攪拌的條件下逐漸加入導電粒子,攪拌混合均勻后制得初級石墨漿;(2)將初級石墨漿軋制,使得細度小于5μm,最后將剩余的2/3溶劑對初級石墨漿進行稀釋,稀釋至粘度為300~1000cp,得到所述浸漬石墨漿。本發明使得銀層與石墨層搭接良好、接觸界面電阻小,從而大幅度降低鉭電容器的ESR。
技術領域
本發明屬于電子器件技術領域,具體涉及一種浸漬石墨漿及其制備方法。
背景技術
自從鉭電容器被發現以來,其一直是電子行業中應用最為廣泛的基礎元器件之一,在各種類型的電子電路中獲得廣泛的應用。在1955年,美國貝爾實驗室的麥考林(D.McLean)和鮑爾(F.Power)成功開發出業界第一顆固體電解質鉭電容器,是以二氧化錳為電解質,不但克服了液態電解質“干化”的問題,而且還極大提高了其穩定特性和頻率特性,為鉭電容器日后的商業應用奠定了堅實的基礎。
鉭電容器因其本身具有大容量、低漏電流、長壽命、小型化、低損耗、穩定性好等優良特點,使得其無論在電話、彩電、冰箱、攝錄像機、數碼相機、程控交換機、計算機等民用領域還是在航空、航天、導彈、衛星、雷達等國防領域都獲得廣泛的應用,尤其是在國防領域的應用加快了鉭電容器的發展,邁入了新的臺階。
ESR(Equivalent series Resistance)即等效串聯電阻,ESR=Ra+Rb+Rc,其中Ra是與五氧化二鉭介質氧化膜有關的損耗它由五氧化二鉭膜的電阻以及膜與MnO2的接觸電阻,Rb是鉭塊內部MnO2的電阻,Rc是鉭塊外表MnO2及導電石墨乳、聚合物銀漿等的電阻以及相互之間的接觸電阻。隨著電子技術及電子元器件的發展,低功耗和高速處理是現代電子設備的發展方向,對鉭電容器性能提出了更高的要求,其中低ESR鉭電容器就是一個研究熱門。
國內外電容器的生產廠家對降低電容器的ESR(等效串聯電阻)都做了大量的研究,但相比國外電容器廠家,國內研究較晚、發展速度慢,錳系低ESR鉭電容器的ESR值基本在40mΩ以上。國外的低ESR鉭電容器則已經達到較好的水平,例如:AVX公司推出低ESR值的片式鉭電容器系列“TPS Series III”;Vishay公司也推出最小殼號0603型低ESR值的片式鉭電容器“MicroTan-TR8”系列,產品的ESR值低至25mΩ左右。但是,低ESR鉭電容器在降低ESR方面仍然還存在許多不足之處,仍需進一步完善。所以,最大限度的減少鉭電容器的ESR是目前國內外鉭電容器制造業重點研究項目之一,具有重大的意義。
發明內容
為了解決上述問題,本發明提供了一種浸漬石墨漿,使得銀層與石墨層搭接良好、接觸界面電阻小,從而大幅度降低鉭電容器的ESR。
本發明的技術方案為:一種浸漬石墨漿,以質量百分比計,原料包括以下組分:
作為優選,所述導電粒子包括石墨和炭黑,所述石墨和炭黑的質量比為1:0.3~1:0.7。
作為優選,所述聚合物樹脂載體為丙烯酸樹脂、環氧樹脂以及氟橡膠中的一種或多種。
作為優選,所述溶劑為檸檬酸三丁酯、醋酸丁酯、辛酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸正戊酯、乙二醇丁醚、乙二醇丁醚醋酸酯、聚酰胺蠟、鈦酸四乙酯、松油醇、丁基卡必醇醋酸酯、乙酰乙酸乙酯以及甲基咪唑中的一種或多種。
作為優選,所述助劑包括分散劑、防沉降劑、消泡劑以及附著力促進劑中的一種或多種。
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