[發明專利]一種發光二極管的外延片及制備方法

有效

• 申請號: 201710369401.8
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN107170908B
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 丁濤;周飚;胡加輝;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管的外延片，其特征在于，所述外延片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的u-GaN層、n型層、發光層和NiO空穴傳輸層，所述發光層包括HC(NH₂)₂PbBr₃層。

2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述HC(NH₂)₂PbBr₃層的厚度為10nm～300nm。

3.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述NiO空穴傳輸層的厚度為10nm～100nm。

4.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述外延片還包括GaN緩沖層，所述GaN緩沖層設置在所述襯底和所述u-GaN層之間。

5.一種外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次外延生長u-GaN層和n型層；

在所述n型層上形成發光層，所述發光層包括HC(NH₂)₂PbBr₃層；

在所述發光層上形成NiO空穴傳輸層。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述在所述n型層上形成發光層包括：

在所述n型層上形成PbBr₂薄膜；

將形成有PbBr₂薄膜的襯底浸于HC(NH₂)₂I的異丙醇溶液中，取出所述形成有PbBr₂薄膜的襯底，對所述形成有PbBr₂薄膜的襯底加熱以形成所述HC(NH₂)₂PbBr₃層。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述HC(NH₂)₂I的異丙醇溶液的濃度為8～12mg/ml。

8.根據權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述在所述n型層上形成PbBr₂薄膜包括：

在所述n型層上旋涂PbBr₂溶液；

加熱旋涂有PbBr₂溶液的襯底，以在所述n型層上形成所述PbBr₂薄膜。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述PbBr₂溶液的濃度為0.7～1.2mol/L。

10.根據權利要求5～7任一項所述的制備方法，其特征在于，所述在所述發光層上形成NiO空穴傳輸層包括：

采用磁控濺射法在所述發光層上形成所述NiO空穴傳輸層。