[發明專利]一種基于方波的QLED驅動方法

在審

• 申請號: 201710369344.3
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN108962128A
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 向超宇;李樂;錢磊;楊一行;曹蔚然
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開了一種基于方波的QLED驅動方法，所述QLED包括自下而上設置的底電極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層以及頂電極，在所述底電極和頂電極之間設置有一驅動電路，在QLED不工作時，通過所述驅動電路輸出反向驅動信號，所述反向驅動信號的波形為方波。通過添加方波形的反向電流或反向電壓，改變了QLED缺陷勢阱的勢壘，消除限制和/或聚集于勢阱中的電荷，減小限制電荷的密度，從而進一步達到增加QLED器件壽命的目的。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種基于方波的QLED驅動方法。

背景技術

量子點發光二極管 (QLED) 作為一種新興的高效電致發光器件，近年來受到了廣泛的關注。QLED 的工作原理與有機發光二極管 (OLED) 非常接近，都是外電路通過正負兩個電極分別向器件內注入電子和空穴，注入的載流子通過載流子注入層和傳輸層到達發光層復合發光。不同的是，在 OLED中，發光層主要采用具有共軛結構的有機分子，盡管這類材料有著良好的發光特性，但是穩定性欠佳。而在QLED中，發光層由無機量子點材料來擔當，相比于共軛有機分子材料，無機量子點具有更強的化學穩定性，因此，用其制備的發光器件具有更長的使用壽命。除此之外，QLED的電致發光光譜具有更窄的半高寬，它在色純度上要優于OLED。鑒于 QLED具有上述優異性能，其市場前景十分可觀。

然而，QLED的壽命一直是制約其廣泛應用的瓶頸，實際應用中發現除了對材料、器件、制備工藝的優化以外，驅動QLED也是一種可以減緩QLED光強衰減，增強QLED使用壽命的方法。QLED是一般需要空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層構成。由于每層的能級不同，因此存在能級差，在QLED的工作中，電荷會聚集在有能級差的界面，特別是與量子點發光層接觸的界面，導致量子點的發光特性受到極大影響，進一步降低了發光光強。另一方面，在每種材料內部，例如量子點的表面，傳輸層材料分子之間都存在大量的缺陷，這些缺陷也是限制載流子的原因。隨著QLED的工作時間增加，越來越多的電荷限制到缺陷中，極大的降低發光光強。

因而現有技術還有待改進和提高。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足之處，本發明的目的在于提供一種基于方波的QLED驅動方法，可達到消除限制和/或聚集于勢阱中的電荷，減小限制電荷的密度，增加QLED器件壽命的目的。

為了達到上述目的，本發明采取了以下技術方案：

一種基于方波的QLED驅動方法，所述QLED包括自下而上設置的底電極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層以及頂電極，在所述底電極和頂電極之間設置有一驅動電路，在QLED不工作時，通過所述驅動電路輸出反向驅動信號，所述反向驅動信號的波形為方波。

所述的基于方波的QLED驅動方法中，所述反向驅動信號緊跟著正向驅動信號，所述反向驅動信號為連續的信號。

所述的基于方波的QLED驅動方法中，所述反向驅動信號的中間存在空置驅動信號，所述反向驅動信號緊跟著正向驅動信號或空置驅動信號。

所述的基于方波的QLED驅動方法中，所述反向驅動信號為反向電壓，所述反向電壓小于QLED的擊穿電壓。

具體的，所述反向電壓的時間占周期的百分比為1%-99%，所述反向電壓的頻率不小于60HZ，所述反向電壓的幅度為-0.1V~-10V。

所述的基于方波的QLED驅動方法中，所述反向驅動信號為反向電流，所述反向電流小于QLED的擊穿電流。

具體的，所述反向電流的時間占周期的百分比為1%-99%，所述反向電流的頻率不小于60HZ，所述反向電流的幅度為-0.0001Am/cm^-2~-1Am/cm^-2。