[發(fā)明專利]基于MEMS工藝的220GHz太赫茲發(fā)射機(jī)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710368617.2
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN106992792B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮志紅;王俊龍;楊大寶;梁士雄;張立森;趙向陽;邢東;徐鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
• 主分類號: H04B1/03
• 分類號: H04B1/03;H04B1/04
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 夏素霞

1.一種基于MEMS工藝的220GHz太赫茲發(fā)射機(jī)，其特征在于：包括通過MEMS工藝制作的Si基鍍金盒體(1)和位于所述盒體內(nèi)的發(fā)射機(jī)電路，所述Si基鍍金盒體(1)包括位于內(nèi)側(cè)的Si殼體(11)和位于Si殼體(11)外側(cè)的金屬鍍層(12)；將所述Si基鍍金盒體(1)分成上下兩部分進(jìn)行制作后，將所述上下兩部分進(jìn)行粘合；

所述發(fā)射機(jī)電路包括Ka波段功率放大器(2)、三次倍頻電路(3)、W波段功率放大器(4)和末級220GHz二次倍頻電路(5)，所述Ka波段功率放大器(2)的輸入端接Ka波段信號源，所述Ka波段功率放大器(2)的信號輸出端與所述三次倍頻電路(3)的信號輸入端連接，所述Ka波段信號源用于產(chǎn)生Ka波段信號，所述Ka波段功率放大器(2)用于對Ka波段信號源輸出的信號進(jìn)行功率放大；所述三次倍頻電路(3)的輸出端與所述W波段功率放大器(4)的信號輸入端連接，所述三次倍頻電路(3)用于對Ka波段功率放大器(2)輸出的信號進(jìn)行三次倍頻處理；所述W波段功率放大器(4)的信號輸出端與所述末級220GHz二次倍頻電路(5)的信號輸入端連接，所述W波段功率放大器(4)用于對三次倍頻電路(3)輸出的信號進(jìn)行功率放大，所述二次倍頻電路用于對W波段功率放大器(4)輸出的信號進(jìn)行二次倍頻處理。

2.如權(quán)利要求1所述的基于MEMS工藝的220GHz太赫茲發(fā)射機(jī)，其特征在于：所述發(fā)射機(jī)電路包括Ka波段功率放大器(2)、二次倍頻電路、W波段功率放大器(4)和末級220GHz三次倍頻電路，所述Ka波段功率放大器(2)的輸入端接Ka波段信號源，所述Ka波段功率放大器(2)的信號輸出端與所述二次倍頻電路的信號輸入端連接，所述Ka波段信號源用于產(chǎn)生Ka波段信號，所述Ka波段功率放大器(2)用于對Ka波段信號源輸出的信號進(jìn)行功率放大；所述二次倍頻電路的輸出端與所述W波段功率放大器(4)的信號輸入端連接，所述二次倍頻電路用于對Ka波段功率放大器輸出的信號進(jìn)行二次倍頻處理；所述W波段功率放大器(4)的信號輸出端與所述末級220GHz三次倍頻電路的信號輸入端連接，所述W波段功率放大器用于對二次倍頻電路輸出的信號進(jìn)行功率放大，所述三次倍頻電路用于對W波段功率放大器輸出的信號進(jìn)行三次倍頻處理。

3.如權(quán)利要求1或2所述的基于MEMS工藝的220GHz太赫茲發(fā)射機(jī)，其特征在于：所述發(fā)射機(jī)電路還包括表面平面天線(6)，所述末級220GHz二次倍頻電路(5)或末級220GHz三次倍頻電路的信號輸出端與所述表面平面天線(6)的信號輸入端連接，所述表面平面天線用于向空間中發(fā)射220GHz太赫茲信號。

4.如權(quán)利要求1或2所述的基于MEMS工藝的220GHz太赫茲發(fā)射機(jī)，其特征在于：所述Ka波段信號源與Ka波段功率放大器之間通過K頭連接。

5.如權(quán)利要求1或2所述的基于MEMS工藝的220GHz太赫茲發(fā)射機(jī)，其特征在于：所述三次倍頻電路采用4管芯反向串聯(lián)倍頻肖特基二極管，其中每兩個(gè)管芯分為一組形成一個(gè)管芯串，每個(gè)管芯串中的兩個(gè)管芯串聯(lián)連接，兩個(gè)管芯串之間并聯(lián)連接。