[發明專利]掩膜板及其制作方法

有效

• 申請號: 201710368260.8
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN107164788B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 李春霞
• 申請（專利權）人: 上海天馬有機發光顯示技術有限公司
• 主分類號: C25D1/10
• 分類號: C25D1/10;C23C14/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種掩膜板制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板的材料為絕緣材料；

在所述基板上形成圖案化的電極層，所述圖案化的電極層上具有多個電極，所述電極層的材料為軟金屬、石墨烯或導電聚合物；

采用電鑄工藝，在所述圖案化的電極層上形成電鑄膜；

采用機械剝離工藝，將所述電鑄膜剝離所述基板和所述電極，得到掩膜板；

所述掩膜板上開口的寬度為w，所述掩膜板的厚度為d，位于所述掩膜板上開口兩側的所述電極層上兩個電極的間距為L，則L＝w+2d；所述掩膜板的表面粗糙度小于0.5μm。

2.根據權利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述電鑄膜與所述基板之間的附著力小于5MPa。

3.根據權利要求2所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述電鑄膜與所述基板之間的附著力小于0.1MPa。

4.根據權利要求2所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述電極與所述電鑄膜之間的附著力小于或等于1MPa。

5.根據權利要求2所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述基板的材料為玻璃或塑料。

6.根據權利要求5所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述基板的表面粗糙度小于0.5μm。

7.根據權利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述電鑄膜的側向生長速度與其縱向生長速度相同。

8.根據權利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述電鑄工藝的電流密度為0.03A/㎡，電鑄液的溫度在35℃～40℃以內，電鑄液的PH值為2.5～3.5；或者所述電鑄工藝的電流密度為0.05A/㎡，電鑄液的溫度在45℃～50℃以內，電鑄液的PH值為3.5～4.5。

9.根據權利要求8所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述電鑄膜的厚度為10μm，大小為10cm×10cm，所述電鑄工藝的電鑄時間為5min～8min。

10.根據權利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述電極的寬度在3μm～5μm以內。

11.根據權利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述電極的厚度小于0.5μm。

12.根據權利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述軟金屬為布氏硬度在20HV～58HV以內的金屬，所述軟金屬材料的電極與所述電鑄膜之間的附著力小于或等于1MPa。

13.根據權利要求12所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述軟金屬為金、銀、錫、鉛、鎂、或銦。

14.根據權利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述導電聚合物為含有共軛π鍵的高分子聚合物，所述導電聚合物材料的電極與所述電鑄膜之間的附著力小于或等于0.1MPa。

15.根據權利要求14所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述導電聚合物為聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙烯、或聚雙炔。

16.根據權利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述石墨烯材料的電極與所述電鑄膜之間的附著力在0.5MPa～1MPa以內。

17.根據權利要求1所述的掩膜板制作方法，其特征在于，所述電鑄膜的材料為鎳、鎳鈷合金、或鐵鎳合金。