[發(fā)明專利]一種耐輻照涂層制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710368145.0
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN107130224B
• 公開（公告）日: 2019-11-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖斌;歐陽曉平;張旭;張豐收;吳先映;羅軍;龐盼
• 申請（專利權(quán)）人: 北京師范大學(xué)
• 主分類號: C23C14/48
• 分類號: C23C14/48;C23C14/02;C23C14/32;C23C14/14;C23C14/16;C23C14/06
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1.一種耐輻照涂層制備方法，其特征在于，包括：

采用考夫曼氣體離子源對基材表面進(jìn)行表面清洗、活化，提高涂層表面結(jié)合力；

采用金屬真空蒸汽離子源(MEVVA)注入方法，在核反應(yīng)堆防護(hù)材料表面注入合金金屬元素，形成金屬″釘扎層″，注入合金金屬元素為四元合金靶材，TiMoCuNi，靶材成分20-80％的Ti，10-30％的Mo，20-50％的Cu，20-40％的Ni；其注入電壓為4～12kV，束流強(qiáng)度為1～10mA，注入劑量為1×10¹⁵～1×10¹⁷/cm²，注入深度為70～120nm；

采用磁過濾沉積技術(shù)(FCVA)沉積第一層合金金屬過渡層；

同時采用金屬真空蒸汽離子源(MEVVA)和磁過濾沉積技術(shù)(FCVA)，并在真空室內(nèi)通入反應(yīng)氣體乙炔和氮?dú)獬练e第二層多相鑲嵌的合金/氮化物/碳化物碳基涂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐輻照涂層制備方法，其特征在于：

(a)在沉積所述第一層合金過渡層時，采用的靶材為TiMoCuNi合金靶材，靶材成分20-80％的Ti，10-30％的Mo，20-50％的Cu，20-40％的Ni，起弧電流90-120A，彎管磁場2.0～4.0A，束流200～800mA，順序采用負(fù)壓-800V、-600V、-400V、及-300V進(jìn)行沉積占空比為50-100％；

(b)在沉積多相鑲嵌的合金/氮化物/碳化物碳基涂層，采用的靶材為TiMoCuNi四元合金靶材，靶材成分20-80％的Ti，10-30％的Mo，20-50％的Cu，20-40％的Ni，起弧電流90～120A，彎管磁場5.0～8.0A，負(fù)壓-800～6000V，沉積時間10～120min，占空比為0.01～1％，乙炔進(jìn)氣量為50～100sccm，氮?dú)膺M(jìn)氣量為10-30sccm，膜層總厚度1-50μm，膜層硬度為2500HV。