[發明專利]傳片監測系統及傳片監測方法、半導體加工設備有效
| 申請號: | 201710368102.2 | 申請日: | 2017-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN108962805B | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發明(設計)人: | 高正 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 監測 系統 方法 半導體 加工 設備 | ||
1.一種傳片監測系統,用于監測機械手上的晶片是否發生偏移,其特征在于,包括對射傳感器和移動裝置,所述對射傳感器包括:發射極和接收極;
所述移動裝置用于驅動所述發射極和所述接收極至少一個移動,且在移動過程中所述發射極和所述接收極之間可進行信號的發送和接收;
當所述晶片靜止待檢測時,所述發射極和所述接收極分別位于所述晶片所在平面的上側和下側;
將所述接收極接收到的信息與預設標準信息進行比較,以判斷所述晶片是否發生偏移;
所述預設標準信息是指在晶片未發生偏移的情況下,在所述發射極和/或所述接收極移動過程中,所述接收極接收到的信息;
所述移動裝置包括:驅動器和直線導軌;
所述發射極或所述接收極設置在所述直線導軌上;
所述驅動器用于驅動所述發射極或所述接收極沿所述直線導軌進行直線運動;
移動的所述發射極或所述接收極在所述直線導軌上的起始位置和終止位置在所述晶片所在平面上的正投影位置均在處于標準位置的所述晶片的外側;
所述標準位置是指所述晶片未發生偏移時所處的位置;
所述信息包括:沿所述直線導軌從起始位置到晶片的第一邊界位置的第一距離信息、沿所述直線導軌從所述第一邊界位置到晶片的第二邊界位置的第二距離信息;
通過根據所述接收極接收到的第一距離信息和第二距離信息以及預設標準信息中的第一距離信息和第二距離信息,來計算晶片沿直線導軌所在方向上的第一偏移量。
2.根據權利要求1所述的傳片監測系統,其特征在于,所述預設標準信息中還包括晶片的尺寸信息;
通過根據所述接收極接收到的第一距離信息和第二距離信息以及預設標準信息中的第一距離信息、第二距離信息和晶片的尺寸信息,來計算晶片沿直線導軌所在方向上的第一偏移量以及在平行所述晶片的平面上垂直所述直線導軌的方向上的第二偏移量。
3.根據權利要求2所述的傳片監測系統,其特征在于,還包括控制裝置和報警裝置;
所述控制裝置,用于計算所述第一偏移量和所述第二偏移量,并判斷所述第一偏移量和所述第二偏移量是否均在各自的預設范圍內,若至少一者未在預設范圍內,則控制所述報警裝置發出報警。
4.根據權利要求1所述的傳片監測系統,其特征在于,所述驅動器用于驅動所述發射極或所述接收極沿所述直線導軌進行勻速直線運動。
5.根據權利要求1所述的傳片監測系統,其特征在于,所述直線導軌的起始位置和終止位置之間的長度比所述晶片的直徑長5mm~10mm。
6.根據權利要求1所述的傳片監測系統,其特征在于,所述晶片位于標準位置的情況下,沿所述直線導軌方向,所述第一邊界位置到第二邊界位置之間的距離等于1.735倍的所述晶片的半徑。
7.一種半導體加工設備,包括反應腔室和傳輸腔室,其特征在于,在所述傳輸腔室內包括權利要求1~6任意一項所述的傳片監測系統。
8.一種傳片監測方法,其特征在于,采用權利要求1-6任意一項所述傳片監測系統來進行監測,包括:
預設標準信息確定步驟:在晶片未發生偏移的情況下,移動裝置驅動所述發射極和所述接收極至少一個移動,在移動過程中所述發射極向所述接收極發送信號,所述接收極獲得的信息作為預設標準信息;
實際監測步驟:S1,移動裝置驅動所述發射極和所述接收極至少一個移動,在移動過程中所述發射極和所述接收極之間可進行信號的發送和接收;
S2,根據所述接收極接收到的信息以及預設標準信息監測所述晶片是否發生偏移。
9.根據權利要求8所述的傳片監測方法,其特征在于,在采用權利要求1所述的傳片監測系統時,所述步驟S1包括:
所述移動裝置的驅動器驅動所述發射極或所述接收極沿所述直線導軌進行直線運動。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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