[發明專利]OLED基板及其制備方法、顯示裝置及其制備方法

在審

• 申請號: 201710368041.X
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN107170782A
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發明（設計）人: 張鋒;呂志軍;劉文渠;董立文;張世政;黨寧
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 汪源,陳源

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種OLED基板及其制備方法、顯示裝置及其制備方法。

背景技術

隨著科學技術的不斷進步，視覺資訊在人們生活中的地位越來越重要，因此，承載視覺資訊信息的平板顯示器件也在人們生活中占據著越來越重要的地位。這些常見的平板顯示器件包括液晶顯示器件(LCD)，有機電致發光二極管(OLED)等。

OLED基板中通常包括襯底基板、設置在襯底基板上方的平坦層、陽極和像素限定層。在現有OLED基板的制備過程中，通常在平坦層形成之后通過兩步工藝制備陽極和像素限定層，而在制備像素限定層時，由于曝光量較大，會導致薄膜晶體管的特性Vth漂移，影響OLED基板的的穩定性；另外，陽極和像素限定層分開制備的工藝會造成產能降低、成本增加等問題。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種能夠避免在制備過程薄膜晶體管的特性Vth漂移，以保證基板穩定性，以及降低制備成本、提高產能的OLED基板及其制備方法、顯示裝置及其制備方法。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種OLED基板的制備方法，包括：

通過一次構圖工藝，在襯底的上方形成包括OLED器件的第一極和位于所述第一極所在層上方的像素限定層的圖形；其中，所述像素限定層包括間隔設置的多個像素擋墻，每一個所述像素擋墻限定一個所述OLED器件的第一極。

其中，所述通過一次構圖工藝，在襯底的上方形成包括OLED器件的第一極和位于所述第一極所在層上方的像素限定層的圖形；其中，所述像素限定層包括間隔設置的多個像素擋墻，每一個所述像素擋墻限定一個所述OLED器件的第一極包括：

在所述襯底的上方依次沉積第一極材料和像素限定層材料；

對像素限定層材料進行不同精度的曝光，形成完全曝光區域、部分曝光區域和未曝光區域；

對曝光后的完全曝光區域和部分曝光區域的像素限定層材料進行顯影、刻蝕，去除所述完全曝光區域的像素限定層材料，以暴露出與所述完全曝光區域對應的部分所述第一極材料；

對暴露出的所述第一極材料進行刻蝕，以形成所述第一極；

去除所述部分曝光區域剩余的像素限定層材料，以形成所述像素擋墻。

其中，在所述通過一次構圖工藝，在襯底的上方形成包括OLED器件的第一極和位于所述第一極所在層上方的像素限定層的圖形之前，還包括：

在所述襯底上依次形成薄膜晶體管的各層結構和平坦化層。

其中，所述薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管或氧化物薄膜晶體管。

其中，在所述通過一次構圖工藝，在襯底的上方形成包括OLED器件的第一極和位于所述第一極所在層上方的像素限定層的圖形之后，還包括：

在所述襯底的上方且相鄰兩個所述OLED器件之間形成隔墊物。

其中，在所述通過一次構圖工藝，在襯底的上方形成包括OLED器件的第一極和位于所述第一極所在層上方的像素限定層的圖形之后，還包括：

形成位于所述第一極之上的發光層和第二極。

其中，所述第一極采用導電的反射材料制成。

作為另一技術方案，本發明還提供一種顯示裝置的制備方法，包括上述任意一項所述的OLED基板的制備方法的步驟。

作為另一技術方案，本發明還提供一種OLED基板，包括多個OLED器件，每個所述OLED器件包括第一極和位于所述第一極上的像素限定層，所述像素限定層包括多個像素擋墻，每一個所述像素擋墻和一個所述OLED器件的第一極在襯底上的正投影所限定的區域完全重合。

作為另一技術方案，本發明還提供一種顯示裝置，包括上述的OLED基板。

本發明的OLED基板及其制備方法、顯示裝置及其制備方法中，該OLED基板的制備方法包括：通過一次構圖工藝，在襯底的上方形成包括OLED器件的第一極和位于所述第一極所在層上方的像素限定層的圖形，也就是說，第一極和像素限定層可以采用一次構圖工藝制備，同時，像素限定層可以作為第一極的刻蝕保護層(即相當于光刻膠)，既可以減少一次構圖工藝，還可以減少光刻膠的使用，從而大幅度降低成本、提高OLED基板的產能；另外，第一極和像素限定層通過一次構圖工藝制備，能夠完全避免第一極和像素限定層分開制備時所產生的圖案偏差，從而提高OLED基板的開口率；而且，在進行構圖工藝時，由于第一極的存在能夠反射光線，因此，能夠有效的保護紫外光對位于第一極下方的薄膜晶體管的特性的影響，從而保證了OLED基板的穩定性。

附圖說明