[發明專利]用于形成半導體器件的方法以及半導體器件

有效

• 申請號: 201710367503.6
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN107437511B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 羅曼·羅特;弗蘭克·翁巴赫
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;蘇虹

1.一種用于形成半導體器件的方法，所述方法包括：

在半導體襯底上方形成絕緣材料層，其中所述絕緣材料層是基于硅氧化物的層、基于硅氮化物的層和基于鋁氧化物的層中的至少一種；

在形成所述絕緣材料層之后，對所述絕緣材料層的表面的至少一部分進行改性；以及

在對所述絕緣材料層的所述表面的至少所述一部分進行改性之后，在所述絕緣材料層的所述表面的至少經改性的部分上形成導電結構，

其中所述絕緣材料層包括接觸孔，所述導電結構通過所述接觸孔垂直電連接至形成在所述半導體襯底中至少一個電元件，

其中對所述絕緣材料層的所述表面的至少所述一部分進行改性包括用離子對所述絕緣材料層的所述表面的至少所述一部分進行照射。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述離子是稀有氣體離子、摻雜劑離子、氧離子或硅離子。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中通過包括大于1keV且小于200keV的能量的離子對所述絕緣材料層的所述表面的至少所述一部分進行照射。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中用大于1*10¹²cm^-2的離子劑量照射所述絕緣材料層的所述表面的至少所述一部分。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中對所述絕緣材料層的所述表面的至少所述一部分進行改性包括在所述絕緣材料層中形成多個溝槽。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述多個溝槽中的溝槽包括大于30nm且小于5μm的寬度。

7.根據權利要求5所述的方法，其中所述多個溝槽中的溝槽包括大于5nm且小于2μm的深度。

8.根據權利要求1或2所述的方法，還包括將引線接合在所述導電結構上。

9.根據權利要求1或2所述的方法，其中形成所述導電結構包括直接在所述絕緣材料層的所述表面的至少經改性的部分上形成金屬層或阻擋層。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述阻擋層包括鈦、鎢、鈦鎢、鉭、氮化鉭、氮化鈦、氮化鈦鎢、鉻、硅化鈦、硅化鉭和硅化鎳中的至少一種。

11.根據權利要求9所述的方法，其中形成所述導電結構包括在所述阻擋層上形成金屬層。

12.根據權利要求9所述的方法，其中所述金屬層包括鋁、銅、硅化鋁、鋁硅銅、鎳、鎳磷、鎳鉬磷、鈀、金和銀中的至少一種。

13.根據權利要求9所述的方法，其中所述金屬層包括大于400nm且小于80μm的厚度。

14.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述基于硅氧化物的層是二氧化硅SiO₂，或摻雜有磷、硼和/或砷的硅氧化物；基于硅氮化物的層是氮化硅Si₃N₄；以及基于鋁氧化物的層是氧化鋁Al₂O₃。

15.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述絕緣材料層包括大于100nm的厚度。

16.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述絕緣材料層的所述表面的至少經改性的部分從所述接觸孔側向地延伸到距所述接觸孔大于300nm的距離。