[發(fā)明專利]一種類島狀電子傳輸?shù)谋∧ぞw管及制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710367112.4
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN107425049A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 寧洪龍;曾勇;姚日暉;鄭澤科;章紅科;徐苗;王磊;彭俊彪
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/221;H01L29/227;H01L29/24;H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 廣州市華學知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44245
• 代理人: 羅嘯秋

1.一種類島狀電子傳輸?shù)谋∧ぞw管，由襯底上依次設(shè)置的柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏電極構(gòu)成；其特征在于：所述有源層為非連續(xù)的類島狀TCO薄膜和低載流子濃度材料薄膜組成的疊層結(jié)構(gòu)，其中低載流子濃度材料薄膜連接相鄰兩個類島狀TCO薄膜，形成一個導(dǎo)電通道。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種類島狀電子傳輸?shù)谋∧ぞw管，其特征在于：所述類島狀TCO薄膜的材料為氧化鋅或摻雜氧化鋅、氧化銦或摻雜氧化銦。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種類島狀電子傳輸?shù)谋∧ぞw管，其特征在于：所述摻雜氧化鋅是指摻鋁氧化鋅，所述摻雜氧化銦是指摻錫氧化銦。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種類島狀電子傳輸?shù)谋∧ぞw管，其特征在于：所述低載流子濃度材料為Al₂O₃、Ga₂O₃或HfO₂。

5.權(quán)利要求1～4任一項所述的一種類島狀電子傳輸?shù)谋∧ぞw管的制備方法，其特征在于包括如下制備步驟：

(1)室溫下在襯底上用直流磁控濺射沉積柵極；

(2)通過陽極氧化將柵極表面氧化，得到柵極絕緣層；

(3)室溫下通過脈沖激光沉積的方法在柵極絕緣層上表面依次濺射非連續(xù)的類島狀TCO薄膜和低載流子濃度材料薄膜，得到有源層；

(4)室溫下用蒸鍍方式沉積源漏電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種類島狀電子傳輸?shù)谋∧ぞw管的制備方法，其特征在于步驟(3)中所述脈沖激光沉積的條件為：本底真空度為9×10^-7Torr，采用KrF準分子激光并在波長為248nm、頻率為5Hz的條件下制備。