[發明專利]一種基于聚酰亞胺基底的柔性透明導電電極及其制備方法

有效

• 申請號: 201710366038.4
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN107248422B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 屠國力;曹中歡;姜鵬飛;李夫;申九林
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 許恒恒;李智

1.一種基于聚酰亞胺基底的柔性透明導電電極，其特征在于，所述電極自下而上包括聚酰亞胺基底、浸潤層、金屬層、金屬網格層以及減反射層；其中：

所述金屬網格的厚度為50-200nm；所述金屬網格的寬度為2-100μm；所述金屬網格通過光刻金屬沉積剝離法或金屬沉積法沉積至所述金屬層上；

所述減反射層的成分為氧化鋅或摻鋁的氧化鋅，所述減反射層的厚度為40-180nm；所述減反射層通過溶液法涂覆或溶膠凝膠溶液旋涂法沉積至所述金屬網格層上；

通過設計減反射層能夠發揮其增透作用，同時減反射層還能夠使金屬網格埋于所述金屬網格中，避免因金屬網格凸出太多而導致器件短路。

2.如權利要求1所述的電極，其特征在于，所述浸潤層的成分為三氧化鉬、氧化鋅、二氧化鈦、五氧化二鉭、氧化鎢、氧化硅和氮化硅的一種或多種。

3.如權利要求1所述的電極，其特征在于，所述浸潤層的厚度為2-10nm。

4.如權利要求1所述的電極，其特征在于，所述浸潤層通過熱蒸鍍、電子束蒸發、磁控濺射、等離子增強化學氣相沉積或原子層沉積的方法沉積至所述聚酰亞胺基底上。

5.如權利要求1所述的電極，其特征在于，所述金屬層為金屬疊層，所述金屬疊層為由金層和銀層構成的金-銀疊層或由銅層和銀層構成的銅-銀疊層，所述金屬疊層中金層或銅層與所述浸潤層相鄰設置。

6.如權利要求5所述的電極，其特征在于，所述金屬疊層中金層或銅層的厚度為1-5nm,所述銀層的厚度為2-20nm。

7.如權利要求1所述的電極，其特征在于，所述金屬網格層中的金屬為金、銀、銅、鋁、鎳和鉻中的一種或者其合金，所述金屬網格為正多邊形，所述正多邊形的邊長為10-10000μm。

8.如權利要求1所述的電極，其特征在于，所述金屬沉積法包括熱蒸鍍、電子束蒸發或磁控濺射。