[發明專利]利用共享深溝槽隔離存儲電容器的全局快門像素

有效

• 申請號: 201710365737.7
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN108231807B
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發明（設計）人: J·雷納
• 申請（專利權）人: 意法半導體（RD）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;崔卿虎

1.一種電子器件，包括：

集成電路襯底；

像素陣列區域，所述像素陣列區域位于所述集成電路襯底上；

邊界隔離區，所述邊界隔離區在所述集成電路襯底中圍繞著所述像素陣列區域的周邊形成；

第一像素，所述第一像素位于所述像素陣列區域內；

第二像素，所述第二像素位于所述像素陣列區域內與所述第一像素間隔開；

存儲電容器區域，所述存儲電容器區域位于所述第一像素與所述第二像素之間并且由所述第一像素和所述第二像素共用；

第一電容器區域隔離區，所述第一電容器區域隔離區在所述集成電路襯底中形成在所述存儲電容器區域與所述第一像素之間，并且在所述邊界隔離區的第一部分與第二部分之間延伸；

第二電容器區域隔離區，所述第二電容器區域隔離區在所述集成電路襯底中形成在所述存儲電容器區域與所述第二像素之間，并且在所述邊界隔離區的所述第一部分與所述第二部分之間延伸；

位于所述存儲電容器區域內并且電耦合到所述第一像素的至少一個存儲電容器；以及

位于所述存儲電容器區域內并且電耦合到所述第二像素的至少一個存儲電容器。

2.如權利要求1所述的電子器件，其中，所述邊界隔離區包括深溝槽隔離區；其中，所述第一電容器區域隔離區包括第一部分深度電容型深溝槽隔離區；并且其中，所述第二電容器區域隔離區包括第二部分深度電容型深溝槽隔離區。

3.如權利要求2所述的電子器件，其中，所述第一電容器區域隔離區在所述存儲電容器區域內形成電耦合到所述第一像素的所述至少一個存儲電容器；并且其中，所述第二電容器區域隔離區在所述存儲電容器區域內形成電耦合到所述第二像素的所述至少一個存儲電容器。

4.如權利要求2所述的電子器件，其中，所述深溝槽隔離區包括完全穿過所述集成電路襯底而延伸的深隔離溝槽。

5.如權利要求2所述的電子器件，其中，所述第一電容器區域隔離區包括限定在所述集成電路襯底中并且部分地穿過其延伸的溝槽、所述溝槽的側壁上的絕緣層以及所述絕緣層所包含的導體。

6.如權利要求5所述的電子器件，其中，所述第二電容器區域隔離區包括限定在所述集成電路襯底中并且部分地穿過其延伸的溝槽、所述溝槽的側壁上的絕緣層以及所述絕緣層所包含的導體。

7.如權利要求1所述的電子器件，其中，所述邊界隔離區的所述第一部分和所述第二部分是所述邊界隔離區的第一邊和第二邊。

8.如權利要求1所述的電子器件，其中，與所述第一像素相關聯的所述至少一個存儲電容器包括與所述第一像素相關聯的第一電容器；其中，與所述第二像素相關聯的所述至少一個存儲電容器包括與所述第二像素相關聯的第二電容器；所述電子器件還包括在所述集成電路襯底中圍繞著所述第一電容器的周邊而形成的第一隔離區、以及在所述集成電路襯底中圍繞著所述第二電容器的周邊而形成的第二隔離區。

9.如權利要求8所述的電子器件，其中，所述第一隔離區在所述集成電路襯底內與所述第二隔離區間隔開。

10.如權利要求8所述的電子器件，其中，所述第一隔離區和所述第二隔離區中的至少一個與所述邊界隔離區間隔開。

11.如權利要求8所述的電子器件，其中，所述第一隔離區和所述第二隔離區中的至少一個與所述第一電容器區域隔離區和所述第二電容器區域隔離區間隔開。