[發明專利]鍍膜系統及鍍膜方法

在審

• 申請號: 201710365616.2
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN107287575A
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 茆勝
• 申請（專利權）人: 茆勝
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C16/52
• 代理公司: 深圳市瑞方達知識產權事務所(普通合伙)44314
• 代理人: 馮小梅,劉潔

技術領域

本發明涉及鍍膜領域，尤其涉及一種鍍膜系統及鍍膜方法。

背景技術

在真空鍍膜設備中，石英晶體振蕩監控法是工藝過程中監控薄膜厚度和材料蒸鍍速率最常用的方法。石英晶體振蕩監控法，主要是利用了石英晶體的壓電效應和質量負荷效應，當晶振片表面沉積薄膜后，晶體的振動就會減弱，這種振動或頻率的減少，是由薄膜的厚度和密度決定的，利用非常精密的電子設備，每秒鐘多次測試振動的變化，從而實現對蒸鍍速率和膜層厚度的實時監控。

在OLED(有機發光二極管：Organic Light-Emitting Diode)的有機鍍膜設備中，石英晶振膜厚探頭一般位于加熱源的一側，基板位于加熱源的斜上方。由于兩者幾何位置的差異，晶振上測量得到的蒸發速率和膜厚值和基板上的實際值是有較大差異的，需要一個修正因子來進行修正，修正因子＝基板膜層厚度/晶振片膜層厚度。理論上來說，針對同一種材料，只要加熱源、晶振和基板三者的幾何相對位置不變，這個修正因子應當是固定的。然而，在實際情況中，這個修正因子卻是不斷變化的，特別是在添加材料或更換晶振片前后，修正因子會發生顯著的變化，導致膜厚發生偏差。正因如此，添加材料或更換晶振片后，都要蒸鍍樣品測試膜厚，校正該修正因子。此外，在鍍膜工藝過程中，會遇到晶振有瑕疵、接觸不良、信號受到外界干擾、蒸鍍材料飛濺到晶振等問題，這些問題均會導致修正因子發生變化，最終導致厚膜偏差，影響工藝穩定性。

發明內容

本發明要解決的技術問題在于，針對現有技術中膜厚監控裝置的修正因子發生變化而導致膜厚偏差及工藝不穩定的缺陷，提供一種鍍膜系統及鍍膜方法。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：提供了一種鍍膜系統，包括基板和位于基板下方的鍍膜源，鍍膜系統還包括第一膜厚監控裝置和第二膜厚監控裝置，第一膜厚監控裝置位于基板與鍍膜源之間，第二膜厚監控裝置鄰近基板。

優選地，第二膜厚監控裝置并排設于基板一側。

優選地，鍍膜系統還包括設于第二膜厚監控裝置下方的第一遮板，第一遮板開啟時，鍍膜源輸出的鍍膜材料的氣流通過第一遮板并到達第二膜厚監控裝置，第一遮板關閉時，阻擋氣流到達第二膜厚監控裝置。

優選地，第一膜厚監控裝置位于基板下方的側邊。

優選地，第一膜厚監控裝置和第二膜厚監控裝置均位于基板的同一側邊。

優選地，第一膜厚監控裝置和第二膜厚監控裝置均包括石英晶片。

優選地，鍍膜系統還包括位于基板與鍍膜源之間的第二遮板，第二遮板開啟時，鍍膜源輸出的鍍膜材料的氣流通過第二遮板并到達基板，第二遮板關閉時，阻擋氣流到達基板。

本發明還提供了一種鍍膜方法，包括：

鍍膜源輸出鍍膜材料的氣流對基板進行鍍膜，第一膜厚監控裝置即時監控基板上所鍍薄膜的厚度；以及

判斷第一膜厚監控裝置的監測結果是否需要校正，若是，則啟用鄰近基板設置的第二膜厚監控裝置，并通過第二膜厚監控裝置校正第一膜厚監控裝置。

優選地，判斷第一膜厚監控裝置的監測結果是否需要校正包括：獲取第一膜厚監控裝置的修正因子，若修正因子的偏差超過預設閾值，則確定第一膜厚監控裝置的監測結果需要校正；

通過第二膜厚監控裝置校正第一膜厚監控裝置包括：獲取第二膜厚監控裝置的修正因子，并采用第二膜厚監控裝置的修正因子來校正第一膜厚監控裝置的修正因子。

優選地，鍍膜方法還包括：在啟用第二膜厚監控裝置后，停用第一膜厚監控裝置，采用第二膜厚監控裝置即時監控基板上所鍍薄膜的厚度。

實施本發明具有以下有益效果：鍍膜系統及鍍膜方法中，兩個膜厚監控裝置協同工作，提升了設備的穩定性和可靠性，特別是在第一膜厚監控裝置的修正因子發生變化時。另，第二膜厚監控裝置鄰近基板，因此第二膜厚監控裝置獲取的鍍膜速率及膜厚值與基板上的真實值相當接近，即第二膜厚監控裝置的修正因子近似為100％，具有修正誤差小的優點，由此可在需要時采用第二膜厚監控裝置來檢查并校正第一膜厚監控裝置；此校正方法雖不能完全代替制備樣品測試膜厚進行校正的傳統方法，但是可以大大減少采用傳統方式進行校準的頻率，不但節省了制作樣品及測試膜厚的時間，還節省了原材料開支。

附圖說明

下面將結合附圖及實施例對本發明作進一步說明，附圖中：

圖1是依據本發明第一實施例的鍍膜系統的結構示意圖；

圖2是依據本發明第二實施例的鍍膜系統的結構示意圖；

圖3是依據本發明第三實施例的鍍膜系統的結構示意圖。

具體實施方式