[發(fā)明專利]一種OLED微型顯示器及其陽(yáng)極鍵合方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710365150.6
• 申請(qǐng)日: 2017-05-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107195801B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 茆勝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 茆勝
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市瑞方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44314
• 代理人: 郭方偉;馮小梅

本發(fā)明涉及一種OLED微型顯示器及其陽(yáng)極鍵合方法，所述OLED微型顯示器的陽(yáng)極鍵合方法包括以下步驟：S1、在絕緣基板上制備凹槽；S2、以銅填埋所述凹槽后，制備銅連接柱；S3、在所述絕緣基板上制備OLED器件，得到預(yù)制OLED發(fā)光單元；S4、將所述預(yù)制OLED發(fā)光單元上的銅連接柱與IC片的正面鍵合，完成OLED微型顯示器的陽(yáng)極鍵合。本發(fā)明通過(guò)預(yù)制OLED發(fā)光單元，再將預(yù)制的OLED發(fā)光單元與IC片鍵合，從而避免出現(xiàn)因陽(yáng)極像素和OLED發(fā)光單元在制備過(guò)程中形成的缺陷導(dǎo)致昂貴的IC片報(bào)廢的問(wèn)題，提高了IC片的利用率，降低了生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及OLED微型顯示器制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種OLED微型顯示器的陽(yáng)極鍵合方法，以及使用這種方法的OLED微型顯示器。

背景技術(shù)

OLED微型顯示器屬于一種硅基顯示器。由于硅基器件優(yōu)良的電學(xué)特性和極細(xì)微的器件尺寸，可以實(shí)現(xiàn)顯示芯片的高度集成化。一般的OLED微型顯示器直接在IC片上制備像素結(jié)構(gòu)和OLED單元，再經(jīng)過(guò)薄膜封裝、蓋片封裝等形式制備成微型顯示器。其中IC片價(jià)格高昂，而像素和OLED單元在制備過(guò)程中形成的缺陷會(huì)導(dǎo)致昂貴的IC片報(bào)廢。為避免此類問(wèn)題，需要設(shè)計(jì)一種改進(jìn)的方法，以提高IC片的利用率，降低生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種可以提高IC片的利用率、降低生產(chǎn)成本的OLED微型顯示器的陽(yáng)極鍵合方法，同時(shí)還提供了一種使用這種方法的OLED微型顯示器。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：構(gòu)造一種OLED微型顯示器的陽(yáng)極鍵合方法，包括以下步驟：

S1、在絕緣基板上制備凹槽；

S2、以銅填埋所述凹槽后，制備銅連接柱；

S3、在所述絕緣基板上制備OLED器件，得到預(yù)制OLED發(fā)光單元；

S4、將所述預(yù)制OLED發(fā)光單元上的銅連接柱與IC片的正面鍵合，完成OLED微型顯示器的陽(yáng)極鍵合。

優(yōu)選地，所述步驟S1包括：

S11、在所述絕緣基板上制備與所述凹槽對(duì)應(yīng)的圖形；

S12、在所述絕緣基板上根據(jù)所述圖形刻蝕出所述凹槽。

優(yōu)選地，在所述步驟S12中，采用TSV工藝在所述絕緣基板上根據(jù)所述圖形刻蝕出所述凹槽。

優(yōu)選地，在所述步驟S11中，采用光刻法在所述絕緣基板上制備與所述凹槽對(duì)應(yīng)的光膠圖形；

在所述步驟S12中，采用TSV工藝在所述絕緣基板上根據(jù)所述光膠圖形刻蝕出所述凹槽。

優(yōu)選地，在執(zhí)行所述步驟S2前，還包括以下步驟：將所述絕緣基板上的所述圖形除去。

優(yōu)選地，所述步驟S2包括：

S21、采用電鍍法對(duì)所述凹槽進(jìn)行銅填埋；

S22、對(duì)所述絕緣基板的正面和背面分別進(jìn)行CMP工藝，直至所述絕緣基板的正面和背面露出所述銅連接柱。

優(yōu)選地，所述步驟S3包括：

S31、在所述絕緣基板的正面對(duì)應(yīng)所述銅連接柱制備陽(yáng)極電極層；

S32、在所述絕緣基板的正面依次制備OLED層、陰極電極層和密封層，得到所述預(yù)制OLED發(fā)光單元。

優(yōu)選地，所述步驟S4包括：

將所述絕緣基板背面的銅連接柱與所述IC片的正面鍵合，完成OLED微型顯示器的陽(yáng)極鍵合。

優(yōu)選地，在所述步驟S3之后，所述步驟S4之前，還包括：