[發明專利]用于選擇性區域沉積的集成集群工具

有效

• 申請號: 201710364977.5
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN107464766B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 托賓·卡芙曼·奧斯本;斯里維斯·D·內曼尼;盧多維克·葛德特;奇偉·梁;阿迪布·可汗
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種基板處理裝置，包含：

集群工具，所述集群工具具有中心設置的傳遞腔室；

第一處理腔室，所述第一處理腔室耦接至所述傳遞腔室，所述第一處理腔室經構造以執行表面改性工藝；

第二處理腔室，所述第二處理腔室耦接至所述傳遞腔室，所述第二處理腔室經構造以執行自組裝單層處理工藝，所述第二處理腔室包括：

腔室主體，所述腔室主體界定處理容積；

基板支撐件，所述基板支撐件設置在所述處理容積內；

蓋板，所述蓋板耦接至所述腔室主體；

加熱器，所述加熱器設置在所述處理容積內；

環形歧管，所述環形歧管耦接至位于所述基板支撐件和所述加熱器徑向外側的所述腔室主體；

注入組件，所述注入組件與所述環形歧管流體連通，所述注入組件被構造為沿著所述基板支撐件的頂表面在處理容積內提供自組裝單層前驅物的交叉流動型暴露；以及

蒸汽產生組件，所述蒸汽產生組件與所述注入組件流體連通；

第三處理腔室，所述第三處理腔室耦接至所述傳遞腔室，所述第三處理腔室經構造以執行原子層沉積工藝；以及

第四處理腔室，所述第四處理腔室耦接至所述傳遞腔室，所述第四處理腔室經構造以執行退火工藝。

2.如權利要求1所述的裝置，其中所述傳遞腔室具有設置在所述傳遞腔室中的傳遞機器人。

3.如權利要求2所述的裝置，其中所述傳遞機器人是單葉片機器人。

4.如權利要求2所述的裝置，其中所述傳遞機器人是雙葉片機器人。

5.如權利要求1所述的裝置，其中所述第一處理腔室經構造以在所述第一處理腔室中產生等離子體，用以執行所述表面改性工藝。

6.如權利要求1所述的裝置，其中所述第一處理腔室具有設置在所述第一處理腔室中的加熱臺座。

7.如權利要求6所述的裝置，其中所述加熱臺座經構造以將基板加熱至大于自組裝單層材料的汽化溫度的溫度。

8.如權利要求1所述的裝置，其中所述第一處理腔室和所述第四處理腔室是相同的。

9.如權利要求1所述的裝置，其中所述第二處理腔室可操作地被維持在大于自組裝單層材料的汽化溫度的溫度。

10.如權利要求1所述的裝置，其中所述第三處理腔室經構造以執行循環原子層沉積工藝。

11.如權利要求1所述的裝置，其中所述第四處理腔室具有設置在所述第四處理腔室中的加熱臺座。

12.如權利要求11所述的裝置，其中所述加熱臺座經構造以將基板加熱至大于自組裝單層材料的汽化溫度的溫度。

13.如權利要求1所述的裝置，進一步包含：

耦接至所述傳遞腔室的一個或多個負載鎖定腔室。

14.如權利要求13所述的裝置，其中所述負載鎖定腔室經構造以執行退火工藝。