[發明專利]一種石墨烯圖形化生長方法在審
| 申請號： | 201710364847.1 | 申請日： | 2017-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN107311159A | 公開（公告）日： | 2017-11-03 |
| 發明（設計）人： | 張大勇;金智;史敬元;彭松昂;黃昕楠;姚堯 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | C01B32/188 | 分類號： | C01B32/188;C01B32/186 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識產權代理有限公司11228 | 代理人： | 張瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 石墨 圖形 化生 方法 | ||
1.一種石墨烯圖形化生長方法，其特征在于，包括：
步驟一、在襯底表面形成鎳層，用于提供石墨烯的生長襯底；
步驟二、將表面圖形化模板覆蓋在所述鎳層表面，在所述鎳層表面生成與所述表面圖形化模板相對應的石墨烯圖形。
2.根據權利要求1所述的石墨烯圖形化生長方法，其特征在于，在所述步驟二之后，所述方法還包括：
步驟三、將所述石墨烯圖形轉移到目標襯底表面。
3.根據權利要求2所述的石墨烯圖形化生長方法，其特征在于，所述襯底和目標襯底的材料為石英、硅或柔性PET。
4.根據權利要求2所述的石墨烯圖形化生長方法，其特征在于，所述步驟一通過蒸發在所述襯底表面形成鎳層。
5.根據權利要求2所述的石墨烯圖形化生長方法，其特征在于，所述表面圖形化模板的材料為石英玻璃。
6.根據權利要求21所述的石墨烯圖形化生長方法，其特征在于，所述表面圖形化模板與所述鎳層緊密貼合。
7.根據權利要求2所述的石墨烯圖形化生長方法，其特征在于，所述步驟二通過在化學氣相沉積爐中通入甲烷和氫氣生成所述石墨烯。
8.根據權利要求7所述的石墨烯圖形化生長方法，其特征在于，所述步驟二生成所述石墨烯的反應條件為在1000℃下反應10min。
9.根據權利要求2所述的石墨烯圖形化生長方法，其特征在于，所述步驟三還包括在所述生長有石墨烯圖形的鎳層表面旋涂光刻膠，去除鎳層后，將光刻膠及石墨烯的復合層轉移到所述目標襯底表面，去除光刻膠。
10.根據權利要求9所述的石墨烯圖形化生長方法，其特征在于，所述鎳層通過鹽酸腐蝕除去，所述光刻膠通過丙酮溶解除去。
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