[發明專利]一種用于固態存儲介質的掉電保護系統

在審

• 申請號: 201710364082.1
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN108233524A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 杰夫微電子（四川）有限公司
• 主分類號: H02J9/06
• 分類號: H02J9/06;G11C16/30
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 郭受剛

1.一種用于固態存儲介質的掉電保護系統，其特征在于，包括第一PMOS負載開關、第二PMOS負載開關、轉換速率控制電路、備份電源電容器及與備份電源電容器連接的充電設備，其中，

所述第一PMOS負載開關的源極、漏極分別外接輸入電壓源和輸出負載，其柵極與轉換速率控制電路連接，流向輸出負載的浪涌電流從第一PMOS負載開關的源極流向漏極，并在柵極處受到第一PMOS負載開關控制電壓的控制；

所述第二PMOS負載開關的漏極外接輸出負載，第二PMOS負載開關的柵極與轉換速率控制電路連接，第二PMOS負載開關的源極連接在備份電源電容器與充電設備之間的線路上；

所述轉換速率控制電路用于向第一PMOS負載開關和第二PMOS負載開關提供負載開關控制電壓；用于產生控制信號通過第一PMOS負載開關補充浪涌電流，同時通過第二PMOS負載開關提供低電流充電；用于監測到輸入電壓掉電時產生控制信號，通過第二PMOS負載開關提供從備份電源電容器到輸出負載的放電路徑；

充電設備，用于將備份電源電容器充電至大于輸入電壓值的電壓。

2.根據權利要求1所述的一種用于固態存儲介質的掉電保護系統，其特征在于，所述第一PMOS負載開關的導通電阻大于第二PMOS負載開關的導通電阻。

3.根據權利要求2所述的一種用于固態存儲介質的掉電保護系統，其特征在于，所述第一PMOS負載開關的導通電阻小于50mΩ，第二PMOS負載開關的導通電阻小于25mΩ。

4.根據權利要求1所述的一種用于固態存儲介質的掉電保護系統，其特征在于，所述轉換速率控制電路設有欠壓鎖定電路，轉換速率控制電路通過欠壓鎖定電路來監控輸入電壓值。

5.根據權利要求1所述的一種用于固態存儲介質的掉電保護系統，其特征在于，所述轉換速率控制電路設有熱關斷電路，所述熱關斷電路用于系統高于設定的溫度時保護第一PMOS負載開關和第二PMOS負載開關。

6.根據權利要求1所述的一種用于固態存儲介質的掉電保護系統，其特征在于，所述轉換速率控制電路設有過流保護電路，所述過流保護電路通過第一PMOS負載開關監控浪涌電流。

7.根據權利要求1所述的一種用于固態存儲介質的掉電保護系統，其特征在于，所述第一PMOS負載開關和第二PMOS負載開關均配置有反向電流阻塞電路。

8.根據權利要求1～7中任意一項所述的一種用于固態存儲介質的掉電保護系統，其特征在于，所述充電設備采用電荷泵。

9.根據權利要求8所述的一種用于固態存儲介質的掉電保護系統，其特征在于，還包括轉換速率調節電阻，所述轉換速率調節電阻與轉換速率控制電路連接，其具有設定的阻值，該阻值用于從外部選擇PMOS負載開關的轉換速率。

10.根據權利要求1～7中任意一項所述的一種用于固態存儲介質的掉電保護系統，其特征在于，所述充電設備為與輸入電壓源連接的升壓轉換器。