[發明專利]電容器及其制造方法在審
| 申請號: | 201710364072.8 | 申請日: | 2017-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN108962879A | 公開(公告)日: | 2018-12-07 |
| 發明(設計)人: | 任柏翰 | 申請(專利權)人: | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/64 | 分類號: | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容器 第一電極 介電層 第二電極 介電質 正投影 信賴度 側壁 頂面 覆蓋 制造 | ||
1.一種電容器,其特征在于,包括:
第一電極,位于介電層上;
介電質,覆蓋所述第一電極的側壁與頂面;以及
第二電極,覆蓋所述介電質與所述介電層,其中所述第二電極于所述介電層上的正投影面積大于所述第一電極于所述介電層上的正投影面積。
2.根據權利要求1所述的電容器,還包括第一導體層和第二導體層,分別位于所述介電層的相對兩側,其中所述第一導體層和所述第二導體層分別電連接于所述第一電極和所述第二電極。
3.根據權利要求2所述的電容器,其特征在于,所述第一電極或所述第二電極為第M層導體層,所述第一導體層為第M-1層導體層,所述第二導體層為第M+1層導體層,其中M≥2。
4.根據權利要求2所述的電容器,還包括第一介層窗和第二介層窗,其中所述第一介層窗位于所述第二電極上且與所述第二導體層及所述第二電極電連接,所述第二介層窗位于所述介電層中且與所述第一導體層及所述第一電極電連接。
5.根據權利要求1所述的電容器,其特征在于,所述第二電極于所述介電層上的正投影面積大于所述介電質于所述介電層上的正投影面積。
6.一種電容器,其特征在于,包括:
第一電極,位于介電層上;
介電質,覆蓋所述第一電極的側壁與頂面;
第二電極,覆蓋所述介電質和所述介電層;以及
第一介層窗,與所述第二電極電連接,且所述第一介層窗位于所述第二電極上未與所述第一電極重疊處。
7.根據權利要求6所述的電容器,其特征在于,所述第一介層窗未與所述介電質重疊。
8.根據權利要求6所述的電容器,其特征在于,所述介電質還位于所述介電層的部分表面。
9.根據權利要求6所述的電容器,還包括第二介層窗,位于所述介電層中且與所述第一電極電連接。
10.根據權利要求9所述的電容器,還包括第一導體層和第二導體層,分別位于所述介電層的相對兩側,其中所述第一導體層和所述第二導體層分別電連接于所述第二介層窗和所述第一介層窗。
11.根據權利要求10所述的電容器,其特征在于,所述第一電極或所述第二電極為第M層導體層,所述第一導體層為第M-1層導體層,所述第二導體層為第M+1層導體層,其中M≥2。
12.根據權利要求6所述的電容器,其特征在于,所述第一電極的厚度范圍為至
13.一種電容器的制造方法,其特征在于,包括:
在介電層上形成第一電極材料層;
圖案化所述第一電極材料層,以形成第一電極;
在所述介電層和所述第一電極上覆蓋介電質材料;
圖案化所述介電質材料,以于所述第一電極的頂面和側壁上形成介電質;以及
在所述介電質上覆蓋第二電極。
14.根據權利要求13所述的電容器的制造方法,其特征在于,在所述介電質上覆蓋所述第二電極之后,還包括于所述第二電極上形成第一介層窗。
15.根據權利要求14所述的電容器的制造方法,其特征在于,所述第一介層窗位于所述第二電極上未與所述第一電極重疊處。
16.根據權利要求15所述的電容器的制造方法,其特征在于,所述第一介層窗未與所述介電質重疊。
17.根據權利要求14所述的電容器的制造方法,其特征在于,在所述介電層上形成第一電極材料之前,還包括于所述介電層中形成第二介層窗,其中所述第二介層窗與所述第一電極電連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于聯華電子股份有限公司,未經聯華電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710364072.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





